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龙图腾网获悉株式会社力森诺科申请的专利复合体粒子、其制造方法及其用途获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117529450B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280042784.7，技术领域涉及：C01B32/05；该发明授权复合体粒子、其制造方法及其用途是由藤田雅人;小岛邦裕;伊藤祐司;井上浩文设计研发完成，并于2022-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本复合体粒子、其制造方法及其用途在说明书摘要公布了：本发明的课题在于提供能够兼顾高的硅利用率和水分散时的氧化抑制的复合体粒子。本发明的复合体粒子是具有包含碳材料和硅的粒子、以及位于所述粒子的表面且包含碳和氧的涂层的复合体粒子，真密度为1.80～1.99gcm33，在拉曼光谱中，峰存在于450～495cm‑1‑1，若将所述峰的强度设为ISiSi、并将G带的强度设为IGG，则ISiSiIGG为1.3以下，在X射线光电子能谱法中，若将Si、O和C的原子数比率分别设为ASiSi、AOO和ACC并将SiO22和SiO的比率分别设为BSiO2SiO2、BSiOSiO，则ASiSi为0.05以上，ISiSiIGG和ACCACC+ASiSi×BSiO2SiO2+BSiOSiO具有规定的关系。

本发明授权复合体粒子、其制造方法及其用途在权利要求书中公布了：1.一种复合体粒子，具有：包含碳材料和硅的粒子、以及位于所述粒子的表面且包含碳和氧的涂层，所述碳材料为多孔质碳，硅包含于所述多孔质碳的至少部分细孔内， 由使用了氦气测定干式密度而得到的真密度为1.80gcm3以上且1.99gcm3以下， 在所述复合体粒子的拉曼光谱中， 峰存在于450～495cm-1， 若将所述峰的强度设为ISi、并将G带的强度即1580cm-1附近的峰强度设为IG，则ISiIG为1.3以下， 若将所述复合体粒子的X射线光电子能谱法的Si、O和C的基于窄谱的原子数比率分别设为ASi、AO和AC、并将由Si2p能谱状态分析得到的Si种比率中的SiO2和SiO的比率分别设为BSiO2、BSiO， 则ASi为0.05以上， 所述复合体粒子满足下述式1和2中的至少一者： Y≥0.751 Y≥－0.32X+0.812 在式1和2中，X＝ISiIG，Y＝ACAC+ASi×BSiO2+BSiO。

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