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龙图腾网获悉电子科技大学长三角研究院(湖州)申请的专利基于物理参数降维的高效率半导体器件仿真方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117828888B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410030200.5，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权基于物理参数降维的高效率半导体器件仿真方法及系统是由毛书漫;黄磊;徐跃杭设计研发完成，并于2024-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于物理参数降维的高效率半导体器件仿真方法及系统在说明书摘要公布了：本发明属于半导体器件仿真技术领域，公开了一种基于物理参数降维的高效率半导体器件仿真方法及系统，TCAD仿真数据获取，对MOSFET进行电流‑电压特性仿真；数据归一化处理，对工艺参数进行归一化处理，优化输入数据；关键物理参数提取，从仿真数据中提取关键参数；工艺参数‑关键物理参数ANN模型构建，利用归一化参数和偏置电压训练人工神经网络ANN，输出关键物理参数；关键物理参数‑电流ANN模型构建，构建基于关键物理参数的ANN模型，预测MOSFET的漏源电流。本发明提供了一种基于物理参数的非线性降维方法，大幅降低训练时间，加速工艺参数优化效率。

本发明授权基于物理参数降维的高效率半导体器件仿真方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种基于非线性降维的高效率半导体器件仿真方法，其特征在于，包括： 步骤1，TCAD仿真数据获取； 步骤2，数据归一化处理； 步骤3，关键物理参数提取； 步骤4，工艺参数-关键物理参数ANN模型构建； 步骤5，关键物理参数-电流ANN模型构建； 步骤1具体为： 在TCAD软件中，对特定结构的平面金属氧化物半导体场效应晶体管，在不同工艺参数组合下进行其电流-电压特性仿真计算，得到漏-源电流和漏-源电压关系曲线Ids-Vds以及漏-源电流和栅-源电压关系曲线Ids-Vgs，其中涉及的工艺参数包括P型阱掺杂浓度Pdep，栅氧化层厚度tox，表面缺陷浓度Cit，栅长Lg，电子迁移率u0，轻掺杂漏掺杂浓度Ldd； 所述步骤3具体为： 选取开态电流，关态电流，阈值电压作为关键参数，具体提取方法如下： ①Vth提取 在步骤一TCAD仿真得到的Ids-Vgs数据，将Ids对Vgs求偏导，得到器件的跨导Gm曲线，然后计算最大点对应的Vgs，记为Vg_gmmax；然后在Ids-Vgs曲线上Vg＝Vg_gmmax点的做切线与Vgs轴相交，得到交点处的Vgs，再减去0.05即为Vth； ②Ion提取 在步骤一TCAD仿真得到的Ids-Vds数据，选取Vgs＝0V，Vds＝1.2V时的漏源电流Ids作为Ion； ③Ioff提取 在步骤一TCAD仿真得到的Ids-Vds数据:选取Vgs＝1.2V，Vds＝1.2V时的漏源电流Ids作为Ioff； 其中，Vgs为输入栅极电压，Ids为漏源电流，Vdd为最大漏极电压。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人电子科技大学长三角研究院(湖州)，其通讯地址为：313000 浙江省湖州市西塞山路819号科技创新综合体B1幢；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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