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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种单片集成的全GaN共源共栅场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118173558B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410153176.4，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权一种单片集成的全GaN共源共栅场效应晶体管及其制备方法是由赵胜雷;于恒懿;张进成;宋秀峰;张嘎;孙雪晶;郝跃设计研发完成，并于2024-02-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单片集成的全GaN共源共栅场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种单片集成的全GaN共源共栅场效应晶体管及其制备方法，该晶体管包括：衬底、成核层、缓冲层、沟道层和势垒层；势垒层包括第一区和第二区；第一区上开设贯穿势垒层的栅下凹槽，栅下凹槽内依次设有栅下增强层、第一栅极，栅下增强层为槽状结构，第一栅极位于栅下增强层的上方，且栅下增强层包覆第一栅极的底面和部分侧面；栅下增强层的底面与势垒层底面齐平，第二区设有第二栅极；第一区和第二区上均设有源极和漏极。本申请采用增强型GaN器件取代SiMOSFET，从而解决器件在快速开关时产生不希望的振荡的问题，并提高开关速度，同时由于器件的高压部分由耗尽型GaN来承担，使得器件具备较高的可靠性。

本发明授权一种单片集成的全GaN共源共栅场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种单片集成的全GaN共源共栅场效应晶体管，其特征在于，包括： 衬底以及依次堆叠在所述衬底上的成核层、缓冲层、沟道层和势垒层； 所述势垒层包括第一区和第二区；所述第一区上开设贯穿所述势垒层的栅下凹槽，所述栅下凹槽内依次设有栅下增强层、第一栅极，所述栅下增强层为槽状结构，所述第一栅极位于所述栅下增强层的上方，且所述栅下增强层包覆所述第一栅极的底面和部分侧面；所述栅下增强层的底面与所述势垒层底面齐平，所述第二区设有第二栅极； 所述第一区和所述第二区上均设有源极和漏极，所述第一栅极位于所述第一区的源极和漏极之间，所述第二栅极位于所述第二区的源极和漏极之间，且所述第一栅极、所述第二栅极的底部均与所述势垒层形成肖特基接触；所述源极和所述漏极分别与所述沟道层中的二维电子气形成欧姆接触； 所述第一区的漏极与所述第二区的源极连接；所述第二栅极与所述第一区的源极连接。

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