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龙图腾网获悉内蒙古鑫华半导体科技有限公司申请的专利电子级多晶硅还原炉的底盘清洁方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118218323B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410458060.1，技术领域涉及：B08B5/04；该发明授权电子级多晶硅还原炉的底盘清洁方法是由温永偲;吴鹏;姜浩;单顺林;高国翔设计研发完成，并于2024-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本电子级多晶硅还原炉的底盘清洁方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电子级多晶硅还原炉的底盘清洁方法，包括底盘初清、底盘腐蚀钝化以及底盘深清，底盘初清包括清除底盘的待清洁表面的粉尘杂质；底盘腐蚀钝化包括：通过密封结构与底盘构造出封闭空间，以使待清洁表面位于封闭空间内；对封闭空间内的待清洁表面上的多晶硅聚合物清理；底盘深清包括：去除密封结构，并清洗待清洁表面。根据本发明的电子级多晶硅还原炉的底盘清洁方法，采用底盘初清、底盘腐蚀钝化以及底盘深清对底盘的多晶硅聚合物进行清理，避免使用打磨的方式清理多晶硅聚合物，避免金属杂质进入电子级多晶硅生产系统，进而可以提高多晶硅产品的质量。

本发明授权电子级多晶硅还原炉的底盘清洁方法在权利要求书中公布了：1.一种电子级多晶硅还原炉的底盘清洁方法，其特征在于，包括： 底盘初清，所述底盘初清包括清除底盘的待清洁表面的粉尘杂质； 底盘腐蚀钝化，所述底盘腐蚀钝化包括： 通过密封结构与所述底盘构造出封闭空间，以使所述待清洁表面位于所述封闭空间内； 对所述封闭空间内的所述待清洁表面上的多晶硅聚合物清理，所述对所述封闭空间内的所述待清洁表面上的多晶硅聚合物清理包括： 朝向所述封闭空间内通入第一清洗溶剂，使得所述第一清洗溶剂对所述待清洁表面的多晶硅聚合物腐蚀第一预设时间，所述第一清洗溶剂包括氟化氢铵溶液； 朝向所述封闭空间内通入第二清洗溶剂，并使得所述第二清洗溶剂对所述待清洁表面清洗第二预设时间，以清除所述待清洁表面腐蚀后的多晶硅聚合物以及残留的所述第一清洗溶剂； 朝向所述封闭空间内通入第一干燥气体，以去除所述待清洁表面残留的第二清洗溶剂，并干燥所述待清洁表面； 底盘深清，所述底盘深清包括：去除密封结构，并清洗所述待清洁表面； 所述密封结构包括： 密封罩，所述密封罩具有一端开口的空腔，所述底盘位于所述开口处，以在所述密封罩与所述底盘之间形成所述封闭空间，所述密封罩的外周壁上设有固定支架以及与所述封闭空间连通的进液口和出液口，所述固定支架用于固定所述密封罩，所述进液口和所述出液口上均设有阀门； 密封圈，所述密封圈位于所述密封罩与所述底盘之间，用于密封所述密封罩与所述底盘之间的装配间隙； 尾气孔塞，所述尾气孔塞的一端位于所述底盘的尾气孔内，用于密闭所述尾气孔，所述密封罩上设有多个第一固定件，所述尾气孔塞的另一端与所述第一固定件固定连接； 电极保护罩，所述电极保护罩的一端罩设在所述底盘的电极的外周侧，所述密封罩上设有多个第二固定件，所述电极保护罩的另一端与所述第二固定件固定连接； 喷嘴保护罩，所述喷嘴保护罩的一端罩设在所述底盘的喷嘴的外周侧，所述密封罩上设有多个第三固定件，所述喷嘴保护罩的另一端与所述第三固定件固定连接。

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