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龙图腾网获悉安世有限公司申请的专利芯片级封装半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118263196B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410396027.0，技术领域涉及：H10W74/10；该发明授权芯片级封装半导体器件及其制造方法是由骆俊杰;邓添禧设计研发完成，并于2017-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片级封装半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体器件和一种制造半导体器件的方法。特别地，本公开涉及芯片级封装半导体器件，其包括：半导体晶片，其具有第一主表面和相对的第二主表面，所述半导体晶片包括布置在所述第二主表面上的至少两个端子；载体，其包括第一主表面和相对的第二主表面，其中所述半导体晶片的第一主表面被安装在所述载体的相对的第二主表面上；以及模塑材料，其部分地封装所述半导体晶片和所述载体，其中所述载体的第一主表面延伸并穿过模塑材料而暴露，并且所述至少两个端子在所述器件的第二侧面上穿过模塑材料而暴露。

本发明授权芯片级封装半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片级封装半导体器件，包括： 半导体晶片，其具有第一主表面和相对的第二主表面，所述半导体晶片包括多个端子，所述多个端子包括源极和漏极，所述源极和所述漏极直接布置在所述第二主表面上且在所述半导体晶片的相对侧，以将所述半导体晶片的所述第二主表面电连接到外部电路部件； 载体，其包括第一主表面和相对的第二主表面，其中所述半导体晶片的第一主表面被安装在所述载体的相对的第二主表面上，其中所述载体不形成电极，其中所述载体的相对的第二主表面被布置为所述载体中的凹陷；以及 模塑材料，其部分地封装所述芯片级封装半导体器件的所述半导体晶片和所述载体，其中所述载体的第一主表面在所述芯片级封装半导体器件的第一侧面上延伸并穿过所述模塑材料而暴露，并且所述多个端子在所述芯片级封装半导体器件的第二侧面上穿过所述模塑材料而暴露； 所述凹陷被布置为可安装地接收所述半导体晶片的上部、和用于将所述半导体晶片安装到所述载体的粘合剂层； 所述模塑材料包括上部和下部，所述上部被布置为包围所述载体的侧壁的第一部分、并与所述载体的所述第一主表面齐平，并且所述下部被布置为包围所述载体的所述侧壁的第二部分，所述第二部分包围所述半导体晶片的上部和所述粘合剂层， 所述载体包括位于所述第一部分和所述第二部分之间的第三部分，所述第三部分在所述芯片级封装半导体器件的相对侧壁上延伸并穿过所述模塑材料而暴露。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人安世有限公司，其通讯地址为：荷兰奈梅亨；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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