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龙图腾网获悉闽都创新实验室申请的专利一种Micro-LED和QLED混合全彩显示器件单片集成结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118338730B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410275494.8，技术领域涉及：H10K59/70；该发明授权一种Micro-LED和QLED混合全彩显示器件单片集成结构及其制备方法是由张恺馨;李琪伟;严群;孙捷;林嘉乐;黄春雷;杨天溪;林畅;张永爱;郭太良设计研发完成，并于2024-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Micro-LED和QLED混合全彩显示器件单片集成结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种Micro‑LED和QLED混合全彩显示器件单片集成结构及其制备方法，在同一块外延衬底上外延生长刻蚀出蓝色μLED与Bank，其中红绿色QLED位于Bank内部，红绿色QLED结构从下到上分别为阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极；蓝色μLED与红绿色QLED在衬底上呈水平分布，蓝色μLED的阴极与红绿色QLED阳极相连，蓝色μLED的阳极与红绿色QLED阴极相连。通过喷墨印刷技术在结构化的蓝色Micro‑LED基板上制备红绿色QLED像素，集成了PM混合全彩显示器件，该技术可避免巨量转移的技术难题，制备工艺简单，同时可实现RGB三色的高效率显示，为显示领域提供新型的全彩技术方案。

本发明授权一种Micro-LED和QLED混合全彩显示器件单片集成结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Micro-LED和QLED混合全彩显示器件单片集成结构，其特征在于：在同一块外延衬底上外延生长刻蚀出蓝色μLED与Bank，其中红绿色QLED位于Bank内部，红绿色QLED结构从下到上分别为阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极；蓝色μLED与红绿色QLED在衬底上呈水平分布，蓝色μLED的阴极与红绿色QLED阳极相连，蓝色μLED的阳极与红绿色QLED阴极相连； 每一像素单元包括4个子像素，分别为红色、绿色、蓝色、绿色，排列方式为RGGB； 蓝色子像素与红绿色子像素采用反向并联方式进行连接驱动，即蓝色μLED的阴极与红绿色QLED的阳极连接，共用一条列电极，蓝色μLED的阳极与红绿色QLED的阴极连接，共用一条行电极； 采用无源驱动发光，驱动用IC由TCP或COG的连接方式进行外装；采用PMW驱动调光，通过改变脉冲宽度以控制LED的亮度，从而实现对LED的调光控制；并通过脉冲电压正反向以分别精确控制蓝色与红绿色发光； 使用光刻和等离子体刻蚀技术，通过掩模将外延片上的n型GaN材料刻蚀掉，刻蚀到蓝宝石衬底，使每个μLED和QLED独立，满足绝缘。

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