广州芯德通信科技股份有限公司徐培根获国家专利权
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龙图腾网获悉广州芯德通信科技股份有限公司申请的专利一种SPI NAND Flash芯片性能测试方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118366531B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410460369.4，技术领域涉及：G11C29/12；该发明授权一种SPI NAND Flash芯片性能测试方法及装置是由徐培根设计研发完成，并于2024-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SPI NAND Flash芯片性能测试方法及装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种SPINANDFlash芯片性能测试方法及装置，所述方法包括：使用复杂可编程逻辑器件控制电平转换模块生成针对待测芯片的若干待测信号，其中，所述待测信号包括对所述待测芯片进行读写操作时的访问区域、测试电压及测试频率，所述待测芯片为SPINANDFlash芯片；使用所述若干待测信号对所述待测芯片进行读写操作；验证所述读写操作结果的正确性。本发明可以实现较短时间内模拟较多使用场景的测试，以快速验证SPINANDFlash芯片的各种极限性能以及是否符合产品使用，实现测试效率的极大提升。
本发明授权一种SPI NAND Flash芯片性能测试方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种SPINANDFlash芯片性能测试方法，其特征在于，所述方法包括： 使用复杂可编程逻辑器件控制电平转换模块生成针对待测芯片的若干待测信号，其中，所述待测信号包括对所述待测芯片进行读写操作时的访问区域、测试电压及测试频率，所述待测芯片为SPINANDFlash芯片；所述待测芯片包括若干块，每个块中包括若干页；所述若干待测信号的访问区域为根据指定规律依次从所述待测芯片中各个块中选择的指定页，所述测试电压为所述待测芯片的标准电压，所述测试频率为所述待测芯片的标准时钟频率；所述待测芯片包括N个块，每个块包括M个页，每个页被划分为s个扇区；所述指定规律为，第n个块中选择的被访问区域为第m个页的第i个扇区，其中，1≤n≤N，m为n除以M的余数且M整除n时m=M，i为m除以s的余数且s整除m时i=s； 使用所述若干待测信号对所述待测芯片进行读写操作； 验证所述读写操作结果的正确性。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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