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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十五研究所申请的专利一种高可靠硅基三维集成数模混合射频微系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118380408B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410518912.1，技术领域涉及：H10W70/62；该发明授权一种高可靠硅基三维集成数模混合射频微系统是由杨进;张君直;朱健设计研发完成，并于2024-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高可靠硅基三维集成数模混合射频微系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高可靠硅基三维集成数模混合射频微系统，通过成套硅基射频微系统集成技术和POP三维堆叠实现微系统三维异构集成。将引线键合类裸芯片转换成倒装焊类裸芯片；全部射频数模混合裸芯片和无源器件集成在硅基转接板上，硅帽腔体堆叠在硅基转接板上，形成射频数模混合微模组；数字逻辑接口裸芯片和无源器件集成在埋置型多芯片Fan‑out封装内部，硅帽腔体堆叠在埋置型多芯片Fan‑out封装上，形成数字逻辑接口微模组；射频数模混合微模组通过内部BGA焊球堆叠在数字逻辑接口微模组上，底部进行外部BGA植球，形成完整的数模混合射频微系统。微系统具有更高的布线精度，更低的传输损耗，更小的体积，更轻的重量等显著优势，满足气密封装要求。

本发明授权一种高可靠硅基三维集成数模混合射频微系统在权利要求书中公布了：1.一种高可靠硅基三维集成数模混合射频微系统，其特征在于，所述微系统包括硅基转接板1、单芯片Fan-in封装9、埋置型多芯片Fan-out封装2、射频数模混合硅帽腔体14和数字逻辑接口硅帽腔体15；所述微系统采用多层布线硅基转接板1、两层布线单芯片Fan-in封装9和两层布线埋置型多芯片Fan-out封装2作为布线介质； 所述硅基转接板1具有多层高密度RDL布线结构和TSV垂直传输结构，正面实现单芯片Fan-in封装9、倒装焊类裸芯片10和集成无源器件5的集成，背面的信号通过BGA球栅阵列扇出； 所述单芯片Fan-in封装9具有两层高密度RDL布线结构，将引线键合类裸芯片6上的引线键合PAD7转换成Fan-in微凸点8，从而将引线键合类裸芯片6转换为倒装焊类裸芯片； 所述埋置型多芯片Fan-out封装2具有两层高密度RDL布线结构和TSV垂直传输结构，正面实现数字逻辑接口裸芯片12和集成无源器件5的集成，背面的信号通过BGA球栅阵列扇出； 所述射频数模混合硅帽腔体14具有多腔体结构，通过晶圆级键合工艺堆叠在硅基转接板1的正面，实现射频数模混合电路的电磁屏蔽结构，形成气密封装的射频数模混合微模组16，射频数模混合硅帽腔体14的键合区域具有气密键合结构13； 所述数字逻辑接口硅帽腔体15通过晶圆级键合工艺堆叠在埋置型多芯片Fan-out封装2的正面，实现数字逻辑接口电路的气密封装结构，形成气密封装的数字逻辑接口微模组17，数字逻辑接口硅帽腔体15的键合区域具有气密键合结构13； 所述射频数模混合微模组16通过内部BGA焊球18堆叠在数字逻辑接口微模组17上，形成POP堆叠微模组19，通过外部BGA焊球20将POP堆叠微模组19背面的BGA焊盘扇出，形成最终完整的气密封装体结构。

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