拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司徐畅获国家专利权
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龙图腾网获悉拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司申请的专利工艺腔室、薄膜沉积设备、薄膜沉积方法及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118563287B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311572124.2，技术领域涉及：C23C16/46；该发明授权工艺腔室、薄膜沉积设备、薄膜沉积方法及存储介质是由徐畅;张洋设计研发完成，并于2023-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本工艺腔室、薄膜沉积设备、薄膜沉积方法及存储介质在说明书摘要公布了：本发明提供了一种工艺腔室、一种薄膜沉积设备、一种薄膜沉积方法及一种计算机可读存储介质。所述工艺腔室包括加热盘、升降机构、陶瓷环及控制器。所述加热盘用于承载待加工的晶圆。所述升降机构用于驱动所述加热盘进行升降。所述陶瓷环设于所述加热盘之上，并对准所述加热盘。所述陶瓷环包括多层结构，下层设有朝向晶圆传片方向的开口，中层具有全封闭的陶瓷侧壁，而上层的周向设有多个抽气孔。所述控制器被配置为：在传片阶段，经由所述升降机构将所述加热盘调节到所述陶瓷环的下层；在加热阶段，经由所述升降机构将所述加热盘调节到所述陶瓷环的中层，并在工艺阶段，经由所述升降机构将所述加热盘调节到所述陶瓷环的上层。
本发明授权工艺腔室、薄膜沉积设备、薄膜沉积方法及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种工艺腔室，其特征在于，包括： 加热盘，用于承载待加工的晶圆； 升降机构，用于驱动所述加热盘进行升降； 陶瓷环，设于所述加热盘之上，并对准所述加热盘，所述陶瓷环外侧的顶部和或底部设有多个第一定位结构，用于固定连接所述工艺腔室的内壁，以实现所述陶瓷环在所述工艺腔室中的定位，其中，所述陶瓷环包括多层结构，下层设有朝向晶圆传片方向的开口，中层具有全封闭的陶瓷侧壁，而上层的周向设有多个抽气孔，所述陶瓷环由多个环体拼接组成，下层环的顶部和中层环的底部分别设有多个第二定位结构，以实现所述下层环与所述中层环的定位，中层环的顶部和上层环的底部分别设有多个第二定位结构，以实现所述中层环与所述上层环的定位；以及 控制器，被配置为：在传片阶段，经由所述升降机构将所述加热盘调节到所述陶瓷环的下层；在加热阶段，经由所述升降机构将所述加热盘调节到所述陶瓷环的中层，并在工艺阶段，经由所述升降机构将所述加热盘调节到所述陶瓷环的上层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司，其通讯地址为：110171 辽宁省沈阳市浑南区水家900号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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