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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十八研究所申请的专利一种应用于高端芯片失效分析的缺陷定位方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118641936B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410847889.0，技术领域涉及：G01R31/311；该发明授权一种应用于高端芯片失效分析的缺陷定位方法是由孟智超;李振远;贾沛;万永康;宋国栋设计研发完成，并于2024-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种应用于高端芯片失效分析的缺陷定位方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种应用于高端芯片失效分析的缺陷定位方法，包括如下步骤：1针对16nm以下先进工艺节点芯片的失效分析定位问题，依托多种设备协同开展晶体管级缺陷区域定位技术；2出现失效问题的芯片置于ATE测试机台中进行相关测试分析，找到故障原因；3ATE初步确定故障原因后，采用EMMI或OBIRCH进行漏电、缺陷位置定位；4对芯片缺陷、故障处利用PVC、SEM等进行精确定位。5对缺陷样品使用FIB进行样品制备，置于TEM下识别样品击穿、扩散、元素分辨。本发明提出的失效分析定位方法解决先进制程芯片晶体管密度大，金属布线层数多带来的定位难问题，能够解决缺陷定位方法之间的关联性问题。

本发明授权一种应用于高端芯片失效分析的缺陷定位方法在权利要求书中公布了：1.一种应用于高端芯片失效分析的缺陷定位方法，所述缺陷定位方法针对工艺节点在16nm以下的FinFET结构先进制程芯片，解决缺陷定位方法之间的关联性问题，实现功能模块级—单元级—晶体管级的三级区域精准定位，其特征在于，包括如下步骤： 步骤S1：芯片ATE测试；根据芯片的类型，选取对应的测试程序，通过ATE测试机台进行电学性能测试分析，初步判断芯片的失效类型、失效模式； 步骤S2：芯片EMMI或OBIRCH测试初步定位；通过测量失效芯片的样品加偏压所释放出来的光子来定位故障点；具体的步骤S2中使用EMMI或OBIRCH对芯片进行初步定位，结合ATE测试数据、失效端口，针对漏电、热载流子效应、闩锁效应、ESD引起的缺陷，找到发热点，实现芯片失效区域的局部定位； 步骤S3：芯片PVC测试精确定位；EMMI或OBIRCH对缺陷进行定位后，还必须在芯片的某个特定范围内进行缺陷排查；其中PVC技术利用样品表面高低不同的电势对其表面的二次电子发射率产生影响，依托SEM、FIB设备，生成明暗对比比较明显的衬度像； 步骤S4：FIB精确去层、样品制备；利用离子束刻蚀及电子束成像的技术进行平面样品物理结构的分析技术，使用FIB大束流快速刻蚀，去除表面金属层，同时在确定的观察平面上，配合小束流抛光，刻蚀出光滑平整的内部截面，搭配SEM成像功能进行平面物理结构观察； 步骤S5：TEM缺陷区域形貌观察；TEM结合选区电子衍射或者纳米束衍射、透射菊池衍射进行精确的物相鉴定和晶体结构分析，结合扫描透射电子能量损失谱进行更为精确的成分分析。

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