中国科学院沈阳自动化研究所于海波获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院沈阳自动化研究所申请的专利一种基于倾斜微刺阵列增敏的柔性触觉传感器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119043531B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310612536.8，技术领域涉及：G01L1/14；该发明授权一种基于倾斜微刺阵列增敏的柔性触觉传感器及其制作方法是由于海波;刘连庆;郭洪吉;梁佳文;刘柱设计研发完成，并于2023-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于倾斜微刺阵列增敏的柔性触觉传感器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于倾斜微刺阵列增敏的柔性触觉传感器及其制作方法，属于柔性触觉传感器领域。该传感器包括带有微刺结构的介电层，制作过程为：1利用双光子聚合技术制作倾斜的光刻胶微刺阵列；2在光刻胶微刺阵列上浇筑制作带有微坑的聚合物薄膜A；3在聚合物薄膜A上浇筑制作光固化胶微刺阵列；4以光固化胶微刺阵列为模具，浇筑制作带有微坑的聚合物薄膜B；5以聚合物薄膜B为模具，浇筑目标倾斜微刺阵列作为介电层；6将介电层与电极层封装，制备基于倾斜微刺阵列增敏的柔性触觉传感器。本发明利用双光子技术一次加工倾斜微刺阵列和四次翻模工艺，可以在柔性基底上进行基于倾斜微刺阵列增敏的柔性触觉传感器制作。
本发明授权一种基于倾斜微刺阵列增敏的柔性触觉传感器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种基于倾斜微刺阵列增敏的柔性触觉传感器，其特征在于：该柔性触觉传感器包括带有微刺结构的介电层，其中：所述介电层包括多个呈阵列方式排布的倾斜微刺；所述介电层为纳米颗粒掺杂的聚合物材料；该柔性触觉传感器还包括设于介电层两侧的电极层；当传感器受到向左剪切力时，传感器电容信号减小，向左剪切力的方向与微刺阵列的倾斜方向相反；当传感器受到向右剪切力时，传感器电容信号增加，向右剪切力的方向与微刺阵列的倾斜方向相同； 所述介电层的厚度为50-1000μm，介电层中掺杂的纳米颗粒为碳粉、碳纳米管、石墨烯和金属纳米颗粒中的一种或几种，介电层中纳米颗粒掺杂量为1.5-10wt%。
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