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龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利一种近零膨胀C/Si3N4-SiC复合材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119191852B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411340906.8，技术领域涉及：C04B35/584；该发明授权一种近零膨胀C/Si3N4-SiC复合材料及其制备方法和应用是由范晓孟;王旭腾;邓吉文;赵东林;陈超设计研发完成，并于2024-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种近零膨胀C/Si3N4-SiC复合材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种近零膨胀CSi33N44‑SiC复合材料及其制备方法和应用，涉及陶瓷基复合材料技术领域。所述复合材料包括碳纤维增强氮化硅基多孔复合材料，以及所述碳纤维增强氮化硅基多孔复合材料表面包覆的碳化硅基体；所述碳纤维增强氮化硅基多孔复合材料包括由碳纤维束编织而成的碳纤维预制体；所述碳纤维预制体中碳纤维束上沉积有热解碳界面层，所述热解碳界面层上还包覆有氮化硅基体。本发明通过调控氮化硅基体的沉积时间，使氮化硅基体完全将碳纤维束包裹，在纤维束内形成弥散分布的微裂纹，实现了近零膨胀。

本发明授权一种近零膨胀C/Si3N4-SiC复合材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种近零膨胀CSi3N4-SiC复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 将连续碳纤维束编织成不同结构的纤维体积分数≥38%的碳纤维预制体； 将碳纤维预制体置于真空炉中，设置压力＜300Pa，温度800~900℃，通入氩气、丙烯，保温45~200h，在碳纤维预制体表面沉积热解碳界面层，随后于1200~1900℃下进行保温1~2h的热处理； 将沉积热解碳界面层并热处理后的碳纤维预制体，设置压力＜300Pa，温度800~1100℃，通入氩气、氢气、四氯化硅以及氨气，通过调整沉积时长使得碳纤维束完全被氮化硅基体包裹，得到碳纤维增强氮化硅基多孔复合材料； 将碳纤维增强氮化硅基多孔复合材料置于沉积炉中，设置压力＜300Pa，温度1000~1100℃，通入氩气、氢气以及三氯甲基硅烷，在氮化硅基体表面通过反应生成碳化硅基体，并对碳纤维束间孔隙进行填充，即得近零膨胀CSi3N4-SiC复合材料； 所述复合材料包括碳纤维增强氮化硅基多孔复合材料，以及所述碳纤维增强氮化硅基多孔复合材料表面包覆的碳化硅基体； 所述碳纤维增强氮化硅基多孔复合材料包括由碳纤维束编织而成的碳纤维预制体；所述碳纤维预制体中碳纤维束上沉积有热解碳界面层，所述热解碳界面层上还包覆有氮化硅基体； 其中，所述碳纤维束内部纤维单丝间含有氮化硅基体；所述碳纤维束其边缘的纤维单丝与碳化硅基体间含有厚度为0.5~5μm的氮化硅基体； 所述热解碳界面层的厚度为100~500nm；所述碳纤维束外部的碳化硅基体层厚度为0.02~0.3mm； 所述碳纤维束中纤维单丝直径为4~8μm；所述碳纤维束中纤维单丝的数量为1K、3K、6K或12K；所述碳纤维束中的碳纤维采用T系列纤维； 所述碳纤维预制体包括2D碳纤维预制体、2.5D碳纤维预制体或3D编织碳纤维预制体； 所述复合材料的密度为1.9~2.1gcm3，开气孔率为8~15vol.%；该复合材料在-100~100℃温度范围内的热膨胀系数绝对值小于0.1×10-6K-1。

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