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龙图腾网获悉北京科技大学申请的专利一种具有超快冷却结构的光电探测器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119208439B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411160438.6，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种具有超快冷却结构的光电探测器的制备方法是由李成明;任飞桐;黄毅丹;原晓芦;杜渐;郝凯子;陈良贤;魏俊俊;刘金龙;欧阳晓平设计研发完成，并于2024-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有超快冷却结构的光电探测器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明的目的在于提供一种具有超快冷却结构的光电探测器的制备方法，属于光电子器件散热领域。该光电探测器结构从下至上依次是：两层相互垂直的金刚石基液体流动通道、硅、垂直石墨烯及两侧源极和漏极，具体是将钼丝置于具有微槽道的硅衬底上生长金刚石膜，对金刚石膜处理加工新的微槽道后再次放置钼丝沉积金刚石，制备两层相互垂直的金刚石基液体流动通道得到超快冷却结构，再在具有超快冷却结构的硅片平整面上沉积垂直石墨烯膜，最后在垂直石墨烯上镀制金属电极并进行图形化。本发明结合金刚石优异的导热特性，通过两层相互垂直的金刚石基液体流动通道构建超快冷却结构，进而实现高效散热以保证光电探测器的工作稳定性和使用寿命。

本发明授权一种具有超快冷却结构的光电探测器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有超快冷却结构的光电探测器的制备方法，其特征在于，将钼丝置于具有微槽道的硅衬底上生长金刚石膜，对金刚石膜处理加工新的微槽道后再次放置钼丝沉积金刚石，制备两层相互垂直的金刚石基液体流动通道得到超快冷却结构，再在具有超快冷却结构的硅片平整面上沉积垂直石墨烯膜，最后在垂直石墨烯上镀制金属电极并进行图形化以制备具有超快冷却结构的光电探测器； 具体制备步骤如下： 步骤1，硅衬底预处理：在抛光硅片表面进行微槽道加工，对加工后的硅片进行超声清洗； 步骤2，放置钼丝：选用一致尺寸的钼丝放置于硅片的微槽道上； 步骤3，金刚石的制备、加工微槽道及酸处理：将微槽道填充钼丝后的硅片作为金刚石生长的衬底，放置于沉积装备中制备金刚石至全覆盖硅片和钼丝表面后再生长一定厚度的金刚石，对沉积后的金刚石进行研磨抛光后在垂直于钼丝的方向采用激光加工微槽道并进行酸处理； 步骤4，放置新的钼丝：选用一致尺寸的钼丝放置于金刚石的微槽道上； 步骤5，第二层金刚石膜的制备及加工：将填充钼丝后的金刚石放置于沉积装备中制备第二层金刚石膜，金刚石生长至全覆盖金刚石衬底和钼丝表面后再生长一定厚度，并对生长后的金刚石进行研磨抛光； 步骤6，去除钼丝：使用酸处理金刚石之间的钼丝得到两层相互垂直的液体流动通道； 步骤7，垂直石墨烯的制备：在具有液体流动通道的硅衬底平整面上制备垂直石墨烯薄膜； 步骤8，光电探测器的制作：在垂直石墨烯薄膜上镀制一定厚度的金属电极并进行图形化。

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