太原理工大学刘培植获国家专利权
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龙图腾网获悉太原理工大学申请的专利一种析氢催化自支撑电极及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119221016B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411431924.7，技术领域涉及：C25B11/081；该发明授权一种析氢催化自支撑电极及其制备方法是由刘培植;郭晶晶;郝兵;李辉宇;郭俊杰设计研发完成，并于2024-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种析氢催化自支撑电极及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种析氢催化自支撑电极及其制备方法，属于电化学催化技术领域；解决了现有Pt基电催化剂电极制作成本高、耐久性不足、耐腐蚀性弱等问题；首先将经过超声清洗和等离子体处理的碳布置于喷金仪中沉积Pt晶种层，然后在硫酸、铂盐和十二烷基硫酸钠混合溶液中通过电沉积在碳布上生长Pt纳米片；再用去离子水清洗Pt纳米片包覆的碳布并真空干燥，得到全pH适用的低Pt负载量析氢催化自支撑电极。直接在碳布上生长Pt纳米片得到析氢电催化电极，避免了在电极的常规制备过程中催化剂的涂覆和粘结剂的使用；碳布基底的高孔隙率和Pt纳米片的垂直分布使电极具有高比表面积和优异的荷质传输能力，提高了催化活性位的本征活性和密度。
本发明授权一种析氢催化自支撑电极及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种析氢催化自支撑电极的制备方法，其特征在于：包括以下步骤： 步骤1，碳布预处理，具体包括：将碳布分别用丙酮、乙醇和去离子水进行超声清洗，以去除表面吸附的杂质，干燥后再进行等离子体活化处理以改善碳布的亲水性； 步骤2，在预处理后的碳布表面形成致密的Pt晶种层，为Pt纳米片的垂直生长提供大量位点； 步骤3，将沉积Pt后的碳布作为工作电极，并置于含有硫酸、铂盐和十二烷基硫酸钠的溶液中，在室温下进行电沉积，使Pt晶体在特定电压和表面活性剂的双重作用下沿垂直方向生长，得到均匀分布且结构稳定的三维堆积构型纳米片； 步骤3中的电沉积为恒电位沉积，施加电位为-0.5~-0.2VSCE，电沉积时间为10~60min； 步骤4，电沉积结束后，将工作电极用去离子水反复冲洗并烘干，得到全pH适用的低Pt负载量析氢催化自支撑电极。
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