中国科学院上海微系统与信息技术研究所万文坚获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种用于负胶光刻工艺的去边胶方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119247709B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411559399.7，技术领域涉及：G03F7/42；该发明授权一种用于负胶光刻工艺的去边胶方法是由万文坚;曹俊诚;黎华设计研发完成，并于2024-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于负胶光刻工艺的去边胶方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于负胶光刻工艺的去边胶方法，包括：1在衬底上旋涂负性光刻胶，衬底边缘堆积形成高于中间区域的边胶；对衬底进行第一次软烘；2旋涂正性光刻胶，对衬底进行第二次软烘；3用去边掩膜板和去边紫外光对衬底进行曝光；4用显影液对衬底进行显影，去除边胶；5用图形化掩膜板和图形化紫外光对衬底进行曝光，曝光后进行后烘；6用泛曝紫外光对衬底进行曝光；7用显影液对衬底进行显影，去除全部正性光刻胶和步骤5中图形化掩膜板遮光区对应的负性光刻胶，获得图形化光刻胶。本发明去除负胶边胶的方法操作简单，无需额外工艺设备，且光刻工艺兼容性高，去边区域精确可控。
本发明授权一种用于负胶光刻工艺的去边胶方法在权利要求书中公布了：1.一种用于负胶光刻工艺的去边胶方法，包括以下步骤： 1旋涂负性光刻胶：在衬底1上旋涂负性光刻胶2，衬底1边缘堆积形成高于中间区域的边胶3；对衬底1进行第一次软烘； 2旋涂保护胶：旋涂正性光刻胶4，对衬底1进行第二次软烘； 3去边曝光：用去边掩膜板5和去边紫外光6对衬底1进行曝光； 4去边显影：用显影液对衬底1进行显影，去除边胶3； 5图形化曝光、后烘：用图形化掩膜板7和图形化紫外光8对衬底1进行曝光，曝光后进行后烘； 6泛曝光：用泛曝紫外光9对衬底1进行曝光； 7图形化显影：用显影液对衬底1进行显影，去除全部正性光刻胶4和步骤5中图形化掩膜板7遮光区对应的负性光刻胶2，获得图形化光刻胶10。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院上海微系统与信息技术研究所，其通讯地址为：200050 上海市长宁区长宁路865号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励