西安近代化学研究所康昊获国家专利权
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龙图腾网获悉西安近代化学研究所申请的专利一种爆炸场压电式压力传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119321843B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411347271.4，技术领域涉及：G01L9/08；该发明授权一种爆炸场压电式压力传感器是由康昊;毛伯永;何性顺;叶希洋;严家佳;陈君;姬建荣;苏健军设计研发完成，并于2024-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种爆炸场压电式压力传感器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种爆炸场压电式压力传感器，所公开的传感器包括壳体和安装于壳体表面及内部的膜片、传力块、两片压电晶片、惯性补偿质量块、电极片，传感器受到冲击波压力作用时，两片压电晶片在上表面产生正电荷、在下表面产生负电荷，由于两片压电晶片串联连接，因此传感器将输出与冲击波压力成正比的电压信号。当传感器受到加速度的作用时，惯性补偿质量块对两片压电晶片会产生相反的作用力，从而使得两片压电晶片分别产生相反的电压信号，可实现对加速度寄生输出信号的补偿。
本发明授权一种爆炸场压电式压力传感器在权利要求书中公布了：1.一种爆炸场压电式压力传感器，包括壳体和引线11，所述壳体内设有组件容纳腔，其特征在于，所述组件容纳腔的一轴向端设有感应开口，该感应开口处设有膜片1，组件容纳腔内安装有绝缘薄膜2、传力块3、第一压电晶片4、惯性补偿质量块5、电极片6和第二压电晶片7，且膜片、绝缘薄膜、传力块、第一压电晶片、惯性补偿质量块、电极片和第二压电晶片沿轴向依次设置；同时所述第一压电晶片的正极靠近绝缘薄膜、负极靠近惯性补偿质量块，第二压电晶片的正极靠近电极片、负极靠近壳体，从而第一压电晶片和第二压电晶片串联； 所述传力块3、第一压电晶片4、惯性补偿质量块5、电极片6和第二压电晶片7组成晶堆，该晶堆侧壁与组件容纳腔内壁之间设有绝缘环8； 所述引线穿过壳体和第二压电晶片与电极片连接。
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