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龙图腾网获悉芯恩(青岛)集成电路有限公司申请的专利半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119361422B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310855001.3，技术领域涉及：H10P14/40；该发明授权半导体器件的制造方法是由请求不公布姓名;钮锋设计研发完成，并于2023-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件的制造方法，对层间介质层进行化学机械研磨后，不仅暴露出伪栅极的顶部，还能产生长沟道元件区的第二伪栅极的顶部比短沟道元件区的第一伪栅极的顶部高的负载效应，进而在对沉积的金属栅极材料进行化学机械研磨时，利用前面研磨产生的负载效应和此次研磨的反向互补作用，不仅能使短沟道元件区的第一金属栅极保持原有伪栅极的高度，还能使长沟道元件区的第二金属栅极的顶部不高于短沟道元件区的第一金属栅极的顶部，最终达到减小或消除短沟道元件区和长沟道元件区的金属栅极之间的负载效应的效果，从整体上提升器件的电性及良率。

本发明授权半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 在一衬底上形成多个伪栅极并在衬底上沉积层间介质层，其中，所述衬底的短沟道元件区上形成的伪栅极为第一伪栅极，所述衬底的长沟道元件区上形成的伪栅极为第二伪栅极，所述第一伪栅极的栅长短于所述第二伪栅极的栅长，所述层间介质层将各个伪栅极掩埋在内； 对所述层间介质层进行化学机械研磨，直至暴露出各个所述伪栅极的顶面； 增加和控制对所述层间介质层进行化学机械研磨的研磨时间，以去除各个所述伪栅极的顶面上的残留，降低各个所述伪栅极的顶面高度，并使所述长沟道元件区的层间介质层的顶部比所述短沟道元件区的层间介质层的顶部高且高度差达到要求程度； 选择性刻蚀去除各个伪栅极，以在所述第一伪栅极的位置形成第一栅极凹槽，同时在所述第二伪栅极的位置形成第二栅极凹槽； 沉积金属栅极材料，所述金属栅极材料填充各个所述第一栅极凹槽和所述第二栅极凹槽且将所述层间介质层掩埋在内； 对所述金属栅极材料进行化学机械研磨，暴露出所述短沟道元件区的层间介质层的顶面，以形成填充于所述第一栅极凹槽中的第一金属栅极和填充于所述第二栅极凹槽中的第二金属栅极，且使所述短沟道元件区的第一栅极凹槽的深度在对所述金属栅极材料进行化学机械研磨前后保持不变，并使所述第二金属栅极的顶部高度下降至不高于所述第一金属栅极，且比所述第一金属栅极的顶部低至要求的高度差。

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