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龙图腾网获悉多普勒实验室股份有限公司申请的专利用于检测和/或量化制造不准确度的方法和系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119384638B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202380047884.3，技术领域涉及：G03F7/00；该发明授权用于检测和/或量化制造不准确度的方法和系统是由S·N·拉贾;V·迪布瓦设计研发完成，并于2023-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于检测和/或量化制造不准确度的方法和系统在说明书摘要公布了：本公开涉及一种用于检测和或量化由光刻工艺产生的制造不准确度的方法。该方法包括：提供用于使用一组光刻工艺在基板上制造结构的至少一个设计，其中制造的结构限定计量传感器的阵列，其中每个计量传感器适于在应用物理过程时产生已知和有限的一组可能的不同物理事件中的一个，其中产生的物理事件：在应用物理过程之前是未知的，取决于由一组光刻工艺中的至少一个产生的制造不准确度，和是制造的结构的移位状态，或者具有与在应用物理过程之前不存在制造的结构相关联的一个或多个物理实体；应用一组光刻工艺；应用物理过程；以及读出所有计量传感器的产生的物理事件。本公开还涉及一种计量系统。

本发明授权用于检测和/或量化制造不准确度的方法和系统在权利要求书中公布了：1.一种用于检测和或量化由光刻工艺产生的制造不准确度的方法，所述方法包括以下步骤： 提供用于使用一组光刻工艺在基板上制造结构的至少一个设计，其中，制造的结构限定计量传感器的阵列，其中，每个计量传感器适于在应用物理过程时产生已知和有限的一组可能的不同且离散物理事件中的一个，其中，产生的物理事件： 在应用所述物理过程之前是未知的， 取决于由所述一组光刻工艺中的至少一个产生的制造不准确度， 对应于所述制造的结构的移位状态，或者创建与在应用所述物理过程之前不存在的所述制造的结构相关联的一个或多个物理实体，和 大于所述不准确度； 应用所述一组光刻工艺以获得所述制造的结构； 应用所述物理过程，由此针对每个计量传感器产生所述已知和有限的一组可能的不同且离散物理事件中的一个，其中，所述物理过程包括机械地应用应力、释放内应力、旋涂、选择性沉积、选择性蚀刻、冷冻、双压电晶片移位、暴露于特定波长的辐射、超声或兆频超声振动以及上述物理过程中的一种或多种的组合； 读出所有计量传感器的产生的物理事件；以及 处理所有计量传感器的所述产生的物理事件，以检测和或量化由所述光刻工艺产生的制造不准确度， 其中，在已执行所述步骤之后，每个计量传感器包含关于由所述光刻工艺产生的不准确度的数据。

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