重庆大学刘玉菲获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆大学申请的专利一种新型宽频pMUT单元及其阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119387135B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411540335.2，技术领域涉及：B06B1/06；该发明授权一种新型宽频pMUT单元及其阵列是由刘玉菲;杨广浩;吴梓鸣设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种新型宽频pMUT单元及其阵列在说明书摘要公布了：本发明公开了一种新型宽频pMUT单元及阵列。一种新型宽频pMUT单元及阵列，结构从下至上依次包括基底层，驱动层，多梯度振动层。基底层包括支撑体、背部空腔，背部负载与二氧化硅绝缘层，驱动层包括底电极，顶电极与粘附层，多梯度振动层的梯度由厚度尺寸引导，且所述多梯度振动层为多梯度压电薄膜。所述具有多梯度振动层的pMUT单元具有多级谐振模态，使pMUT单元具有多频性能。背部负载经刻蚀工艺形成，用以增幅pMUT单元的阻尼震荡，同时调节pMUT单元的等效振动质量、刚度与有效振动面积分布，并耦合多频频带为宽频频带。本发明用于声学领域，与常规pMUT结构相比，可有效拓宽pMUT单元的工作频带。
本发明授权一种新型宽频pMUT单元及其阵列在权利要求书中公布了：1.一种新型宽频pMUT单元，其特征在于，pMUT单元结构从下至上依次包括基底层1，驱动层2，多梯度振动层3；所述基底层1包括支撑体1-1、背部空腔1-2、背部负载1-3与二氧化硅绝缘层1-4；所述驱动层2包括底电极2-1、顶电极2-2与粘附层2-3，所述粘附层2-3用于固定所述底电极2-1与顶电极2-2；所述多梯度振动层3包括多梯度压电薄膜；pMUT单元通过协同控制所述多梯度振动层3与所述背部负载1-3实现频带耦合，进一步拓宽工作频带，其中，所述背部负载1-3位于所述背部空腔1-2的内部，且经深硅刻蚀工艺制备形成。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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