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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利半导体器件、半导体器件的制备方法及电子装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119545937B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311084788.4，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权半导体器件、半导体器件的制备方法及电子装置是由张川;王志高;陈星;张宇清;王康杰设计研发完成，并于2023-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件、半导体器件的制备方法及电子装置在说明书摘要公布了：本申请公开了半导体器件、半导体器件的制备方法及电子装置，该半导体器件包括：半导体衬底，具有相对的第一表面和第二表面；形成于半导体衬底中的多个光电二极管；与多个光电二极管相对应的多个淬灭电阻结构以及形成于相邻光电二极管之间的沟槽隔离结构。该沟槽隔离结构包括从第一表面延伸至半导体衬底内的深沟槽隔离结构和从第二表面延伸至半导体衬底内的第一浅沟槽隔离结构和第二浅沟槽隔离结构，该两个浅沟槽隔离结构分布于深沟槽隔离结构的两侧且分别与该深沟槽隔离结构在半导体衬底内部相交，深沟槽隔离结构的底部与第二表面之间存在预设间距。本申请使得多晶硅与深沟槽隔离结构之间电学隔离更好，抗高压能力更强，在高工作电压下不会漏电。

本发明授权半导体器件、半导体器件的制备方法及电子装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 半导体衬底，包括相对的第一表面和第二表面； 多个光电二极管，形成于所述半导体衬底中； 多个淬灭电阻结构，与所述多个光电二极管相对应，每个淬灭电阻结构包括电隔离层和多晶硅，所述电隔离层形成于所述第二表面侧，所述多晶硅形成于所述电隔离层上并通过金属互连结构层与对应的光电二极管电性连接；所述金属互连结构层包括层间介电层和位于所述层间介电层的金属层，所述层间介电层覆盖第一介质层和所述淬灭电阻结构，所述第一介质层覆盖所述第二表面，所述层间介电层中形成有与所述淬灭电阻结构中多晶硅电性连接的第一触点，以及与所述淬灭电阻结构对应的光电二极管电性连接的第二触点，所述金属层的部分结构电性连接所述第一触点和所述第二触点； 沟槽隔离结构，形成于相邻所述光电二极管之间，包括从所述第一表面延伸至所述半导体衬底内的深沟槽隔离结构和从所述第二表面延伸至所述半导体衬底内的第一浅沟槽隔离结构和第二浅沟槽隔离结构； 其中，所述第一浅沟槽隔离结构和所述第二浅沟槽隔离结构分布于所述深沟槽隔离结构的两侧且分别与所述深沟槽隔离结构在所述半导体衬底内部相交，所述深沟槽隔离结构的底部与所述第二表面之间存在预设间距。

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