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龙图腾网获悉北京智芯微电子科技有限公司;浙江大学申请的专利存储器器件性能调控方法、装置和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119558071B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411704565.8，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权存储器器件性能调控方法、装置和电子设备是由陈燕宁;吴波;刘芳;凌婉怡;任堃;高大为;邓永峰;郁文;米朝勇设计研发完成，并于2024-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器器件性能调控方法、装置和电子设备在说明书摘要公布了：本发明提供一种存储器器件性能调控方法、装置和电子设备，属于存储器技术领域。方法包括：利用SRIM软件对所有初始离子注入条件进行离子注入仿真，得到每个初始离子注入条件对应的离子掺杂分布参数集；从所有初始离子注入条件的离子掺杂分布参数集中筛选出满足设定条件的最优离子掺杂分布参数集；基于TCAD软件对选用最优离子掺杂分布参数集对应的初始离子注入条件的存储器进行整体制备工艺流程仿真。本发明结合SRIM软件和TCAD软件，针对工艺流程中对器件漏极的CNLDD注入工艺，在多个初始离子注入条件中选取最优离子掺杂分布参数集对应的初始离子注入条件作为最佳注入条件，实现精准调控离子注入模式以实现存储器件高性能。

本发明授权存储器器件性能调控方法、装置和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种存储器器件性能调控方法，其特征在于，包括： 获取存储器漏极的离子注入工艺的多个初始离子注入条件； 利用SRIM软件对所有所述初始离子注入条件进行离子注入仿真，得到每个初始离子注入条件对应的离子掺杂分布参数集；所述离子掺杂分布参数集包括离子平均穿透深度以及离子峰值浓度； 从所有所述初始离子注入条件的离子掺杂分布参数集中筛选出满足设定条件的最优离子掺杂分布参数集； 基于TCAD软件对选用所述最优离子掺杂分布参数集对应的初始离子注入条件的存储器进行整体制备工艺流程仿真； 其中漏极的离子注入工艺针对器件漏极的CNLDD注入工艺； 所述从所有所述初始离子注入条件的离子掺杂分布参数集中筛选出满足设定条件的最优离子掺杂分布参数集，包括： 从所有所述初始离子注入条件的离子掺杂分布参数集中筛选出一个满足设定条件的离子掺杂分布参数集作为所述最优离子掺杂分布参数集；或者， 从所有所述初始离子注入条件的离子掺杂分布参数集中筛选出多个满足设定条件的离子掺杂分布参数集；基于多个离子掺杂分布参数集中离子平均穿透深度的平均值和离子峰值浓度的平均值组成的离子掺杂分布参数集作为所述最优离子掺杂分布参数集； 通过反复调整初始离子注入条件中的离子注入参数并分析离子掺杂分布参数集，找到最合适的最佳注入条件，以达到优化掺杂和控制器件性能的目标； 利用SRIM软件可以计算模拟出不同对初始离子注入条件下注入离子与靶材料原子碰撞过程中的每一个细节并能够给出注入离子的最终停止范围的仿真图像；经过此方法总结出不同模式下的离子平均穿透深度以及离子峰值浓度规律；离子平均穿透深度和离子峰值浓度是描述离子分布的重要参数；通过这些数值，可以估算掺杂层的深度和浓度分布。

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