福州大学;福建晶安光电有限公司张海忠获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉福州大学;福建晶安光电有限公司申请的专利一种局部缺陷氮化镓成品单晶的修复方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119685939B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510005880.X，技术领域涉及：C30B33/10；该发明授权一种局部缺陷氮化镓成品单晶的修复方法是由张海忠;洪煜枫;杨胜裕设计研发完成，并于2025-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种局部缺陷氮化镓成品单晶的修复方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种局部缺陷氮化镓成品单晶的修复方法，属于氮化镓单晶衬底制作领域。利用氮化镓成品单晶材料局部缺陷区域相对正常区域内具有的局域能量致使腐蚀所需的自由能降低的原理，对有缺陷的区域采用化学药剂或高温气氛对缺陷处进行定向腐蚀处理，重新投入氢化物气相外延HVPE设备回炉外延0‑100μm，将被腐区域重新愈合，再经磨抛后修复有缺陷的区域，制成成品单晶。通过本方法只需生长0‑100μm修复缺陷单晶表面，相对重新生长700μm厚度制备成品单晶而言，可大幅缩短成本，提升产品良率。
本发明授权一种局部缺陷氮化镓成品单晶的修复方法在权利要求书中公布了：1.一种局部缺陷氮化镓成品单晶的修复方法，其特征在于：对局部缺陷氮化镓成品单晶先利用腐蚀液或高温气氛进行定向腐蚀处理，再投入HVPE设备回炉外延重新愈合被腐区域，最后经磨抛后修复有缺陷的区域； 所述腐蚀液为磷酸、硝酸、过氧化氢、氢氧化钠、氢氟酸、硫酸、盐酸、缓冲氧化物蚀刻液中的一种或几种； 所述高温气氛使用的气体为H2、N2、O2、HCl、Cl2或BCl3中的一种或几种； 所述回炉外延的厚度为20-100μm。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人福州大学;福建晶安光电有限公司，其通讯地址为：362251 福建省泉州市晋江市金井镇水城路1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励