浙江创芯集成电路有限公司张严获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利腔体的清洗方法及腔体内的工艺装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119710627B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411885059.3，技术领域涉及：C23C16/44；该发明授权腔体的清洗方法及腔体内的工艺装置是由张严;楼其村;王典勇;梁志;靳忆帆设计研发完成，并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本腔体的清洗方法及腔体内的工艺装置在说明书摘要公布了：一种腔体的清洗方法及腔体内的工艺装置，在腔体的清洗方法中，首先向所述腔体内部提供刻蚀离子，对工艺装置表面沉积的薄膜层进行刻蚀处理，去除工艺装置表面沉积的薄膜层，但会在工艺装置表面残留刻蚀离子；其后在腔体内部通入含氧离子，在工艺装置表面形成保护层，保护层能够将工艺装置与外界隔绝，使得工艺装置不易受到损伤，避免后续的腔体清洁过程中，工艺装置直接与刻蚀离子接触而受到腐蚀，提高了工艺装置的使用寿命。本发明实施例所提供的腔体的清洗方法，既保证了对工艺装置表面薄膜的充分去除，又实现了对工艺装置表面的有效保护，提高了清洗工艺的实用性。
本发明授权腔体的清洗方法及腔体内的工艺装置在权利要求书中公布了：1.一种腔体的清洗方法，其特征在于，所述腔体内部具有工艺装置，所述工艺装置表面具有沉积的薄膜层，包括以下步骤： 向所述腔体内部提供刻蚀离子，刻蚀所述工艺装置表面沉积的薄膜层；向所述腔体内部提供刻蚀离子的步骤包括：提供刻蚀气体；将所述刻蚀气体解离，产生所述刻蚀离子；将产生的刻蚀离子通入腔体的内部，其中，向所述腔体内部提供刻蚀离子的步骤中，在所述工艺装置表面形成副产物层； 向所述腔体内部提供刻蚀离子后，向所述腔体内部提供氧离子，在所述工艺装置表面形成保护层；其中，向所述腔体内部提供氧离子的步骤中，将所述副产物层转化成所述保护层，且所述保护层的致密度高于所述副产物层的致密度。
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