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龙图腾网获悉广东华兰海电测科技股份有限公司申请的专利一种宽温区硅压力传感器芯片的MEMS优化工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119750493B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510227997.2，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种宽温区硅压力传感器芯片的MEMS优化工艺是由何富添;温志总;姜褔广;伍德常设计研发完成，并于2025-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种宽温区硅压力传感器芯片的MEMS优化工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种宽温区硅压力传感器芯片的MEMS优化工艺，包括在双面抛光的硅晶圆上形成蜂窝状应力缓冲腔，在SOI晶圆的顶硅层表面生成双层复合膜，之后键合形成异质结构；在SOI晶圆的顶硅层表面，通过三次变角度离子注入工艺形成深度方向掺杂浓度梯度，并通过电子束光刻工艺制作温度补偿电极，构建梯度掺杂的压阻网络，表面生长波纹状SiON介质层，刻蚀锥形通孔，并采用脉冲电镀工艺填充铜金属实现内部互连，形成金属互连结构；在其表面依次沉积梯度SiNXX薄膜，在异质结构的表面涂覆AuSn共晶焊料，在封装腔体内集成微型Pt温度传感器，涂覆聚硅氮烷复合保护层，有效提升了芯片在宽温区范围内的性能稳定性与抗温度变化的可靠性，适应复杂的高温低温环境条件。

本发明授权一种宽温区硅压力传感器芯片的MEMS优化工艺在权利要求书中公布了：1.一种宽温区硅压力传感器芯片的MEMS优化工艺，其特征在于，包括： 步骤S1，在双面抛光的硅晶圆上采用深反应离子刻蚀技术形成蜂窝状应力缓冲腔，在SOI晶圆的顶硅层表面通过热氧化生成SiO2SiN双层复合膜，之后采用氩气等离子活化键合工艺将所述SOI晶圆与硅晶圆键合，形成具有热膨胀系数匹配的异质结构； 步骤S2，在所述SOI晶圆的顶硅层表面，通过三次变角度离子注入工艺形成深度方向掺杂浓度梯度5×10¹8~2×10¹9cm⁻³，注入后采用激光退火技术进行局部晶格修复，并通过电子束光刻工艺制作CrPtAu复合温度补偿电极，构建梯度掺杂的压阻网络； 步骤S3，在压阻网络表面生长波纹状SiON介质层，通过干法刻蚀工艺制备锥形通孔，并采用脉冲电镀工艺填充铜金属实现内部互连，形成金属互连结构； 步骤S4，在所述金属互连结构表面依次沉积梯度SiNx薄膜，通过紫外激光诱导晶化工艺调控薄膜应力，形成纳米裂纹缓冲结构； 步骤S5，在所述异质结构的表面涂覆AuSn共晶焊料，采用密封的封装腔体，在所述封装腔体内集成微型Pt温度传感器，并在其表面涂覆聚硅氮烷复合保护层，制得宽温区硅压力传感器芯片。

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