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龙图腾网获悉南京理工大学申请的专利非晶SiO2衬底上制备大晶畴尺寸单层MoS2薄膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119753623B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410023492.X，技术领域涉及：C23C16/30；该发明授权非晶SiO2衬底上制备大晶畴尺寸单层MoS2薄膜的方法是由陈翔;吴林祥;邓会琼;熊云海;曾海波;宋秀峰;刘本强设计研发完成，并于2024-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本非晶SiO2衬底上制备大晶畴尺寸单层MoS2薄膜的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种非晶SiO22衬底上制备大晶畴尺寸单层MoS22薄膜的方法。所述方法将S粉、MoO33粉末、洁净的SiO22Si衬底分别放置于第一温区、第二温区和第三温区，调控两粉末的间距以及MoO33粉末与衬底之间的距离，将各温区升温至设定温度，通过第一温区依次流向第二温区和第三温区的ArO22混合载气气流将S粉和MoO33粉末输送到衬底上并发生化学反应，在SiO22Si衬底生长得到大晶畴尺寸单层MoS22薄膜。本发明采用化学气相沉积方法，在SiO22Si衬底上，制备了均匀性好、晶畴尺寸大、高质量结晶性的单层MoS22薄膜，其平均晶畴尺寸可达20μμm~78μμm，该方法操作简单、成本低、可重复性好。

本发明授权非晶SiO2衬底上制备大晶畴尺寸单层MoS2薄膜的方法在权利要求书中公布了：1.非晶SiO2衬底上制备大晶畴尺寸单层MoS2薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤： 1将洁净的SiO2Si衬底放置在仰角为30°的石英衬托支架上，放置于第三温区；将S粉和MoO3粉末分别放置在两个陶瓷舟中，并将两个陶瓷舟放置于石英玻璃管中，S粉放置于第一温区，MoO3粉末放置于第二温区，两粉末的间距为18~21cm，MoO3粉末与衬底之间的距离为15~18.5cm； 2第一温区温度设置为135℃~150℃，第二温区温度设置为640℃~700℃，第三温区温度设置为700℃~810℃，将各温区升温至设定温度，并且第一温区提前10~15min先于第二和第三温区到达设定温度，通过第一温区依次流向第二温区和第三温区的ArO2混合载气气流将S粉和MoO3粉末输送到衬底上并发生化学反应，在SiO2Si衬底生长得到大晶畴尺寸单层MoS2薄膜，升温阶段载气的流量比为Ar：O2=70：1~5，生长阶段载气的流量比为Ar：O2=70：2~5，石英玻璃管内的总压强1.45torr。

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