安徽钜芯半导体科技股份有限公司曹孙根获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽钜芯半导体科技股份有限公司申请的专利二极管和光伏模块获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119786468B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411979389.9,技术领域涉及:H10W40/47;该发明授权二极管和光伏模块是由曹孙根;丁忠军;石小飞设计研发完成,并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本二极管和光伏模块在说明书摘要公布了:本公开是关于一种二极管和光伏模块。该二极管包括依次设置的第二衬底层、阳极层、第一衬底层和阴极层;所述阴极层内设置有与所述第一衬底层贴合的缓冲层;所述缓冲层内包括多个缓冲区域;每个缓冲区域内材料与所述阳极层内材料相同,并且每个缓冲区域的掺杂浓度小于所述阳极层的掺杂浓度和大于所述衬底层的掺杂浓度;所述第二衬底层上形成关于中心对称或者轴对称的预设图案的沟道,所述第二衬底层与所述阴极层贴合时形成供液体媒介流通的通道。本实施例液体媒介在流动过程中可带走二极管所产生的热量,有利于降低二极管内部的温度,保证二极管可靠工作。
本发明授权二极管和光伏模块在权利要求书中公布了:1.一种二极管,其特征在于,包括依次设置的阳极层、第一衬底层、阴极层和第二衬底层;所述阴极层内设置有与所述第一衬底层贴合的缓冲层;所述缓冲层内包括多个缓冲区域;每个缓冲区域内材料与所述阳极层内材料相同,并且每个缓冲区域的掺杂浓度小于所述阳极层的掺杂浓度和大于所述衬底层的掺杂浓度;所述第二衬底层上形成关于中心对称或者轴对称的预设图案的沟道,所述第二衬底层与所述阴极层贴合时形成供液体媒介流通的通道; 所述预设图案的沟道包括中心部、边缘部和连通部;所述中心部和所述连通部采用过孔设置;所述连通部采用盲孔设置,用于连接所述中心部和所述边缘部,使得所述中心部的液体媒介流向所述边缘部,或者所述边缘部的液体媒介流向所述中心部; 通过二极管所组成光伏模块上的散热器件使所述散热器件内的液体媒介和所述预设图案的沟道内的液体媒介循环; 所述散热器件设置有插入口;所述中心部和所述边缘部的引脚会插入所述插入口。
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