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中国科学院物理研究所李泓获国家专利权

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龙图腾网获悉中国科学院物理研究所申请的专利一种原位固化的硅基复合负极极片及其制备方法和应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119786530B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411982772.X,技术领域涉及:H01M4/134;该发明授权一种原位固化的硅基复合负极极片及其制备方法和应用是由李泓;冯书航;陈立泉设计研发完成,并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

一种原位固化的硅基复合负极极片及其制备方法和应用在说明书摘要公布了:本发明涉及一种原位固化的硅基复合负极极片及其制备方法和应用。硅基复合负极极片包括:负极极片以及原位固化包覆于负极极片表面的聚合物电解质层;聚合物电解质层通过施加于负极极片表面的前驱体溶液原位聚合反应得到;前驱体溶液中含有氟代烷基官能团;负极极片包括表面富含羟基的硅基材料。本发明的复合负极极片不仅能够有效限制硅负极在循环过程中的体积膨胀,减少颗粒粉化和界面分离现象,还显著增强了活性物质颗粒间的黏附力,确保极片的结构完整性和离子电子的高效传输。硅基负极极片通过聚合物包覆层能够与固态电解质形成稳定的固固界面,显著降低界面阻抗并提升离子传导效率,从而在提高电池能量密度的同时增强其循环稳定性和安全性能。

本发明授权一种原位固化的硅基复合负极极片及其制备方法和应用在权利要求书中公布了:1.一种原位固化的硅基复合负极极片,其特征在于,所述原位固化的硅基复合负极极片包括: 负极极片以及原位固化包覆于所述负极极片表面的聚合物电解质层;所述负极极片内部的孔隙率为10%-50%;所述聚合物电解质层至少覆盖所述负极极片的表面90%以上的面积; 其中,所述聚合物电解质层通过施加于负极极片表面的前驱体溶液原位聚合反应得到;所述前驱体溶液中含有氟代烷基官能团;所述负极极片包括硅基负极材料,所述硅基负极材料的表面富含羟基;所述前驱体溶液包括聚合单体,所述聚合单体包括:体积比为1-3:1:1-3的碳酸酯、丙烯酸酯和氟代烷基丙烯酸酯。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院物理研究所,其通讯地址为:100190 北京市海淀区中关村南三街8号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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