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龙图腾网获悉聚灿光电科技(宿迁)有限公司申请的专利一种红光Micro LED高光效外延结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119789627B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411985035.5，技术领域涉及：H10H20/81；该发明授权一种红光Micro LED高光效外延结构是由张瑶;请求不公布姓名;赵易;袁乐设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种红光Micro LED高光效外延结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种红光MicroLED高光效外延结构，通过在P型AlInP限制层和P型GaP电流扩展层之间引入高能带横向扩展层，优化电流分布、减少电子溢流以及增强侧壁性能，有效提高了量子效率和光提取效率，同时增强了器件的高温稳定性和长期可靠性。该横向扩展层为创新性的超晶格结构，由高掺杂GaP层、低掺杂GaP层和AlxxGa1‑x1‑xP层交替组成。本发明适用于小尺寸、高分辨率显示屏、车载高温显示器以及低功耗增强现实眼镜等场景，具有广泛的应用前景和工业价值。

本发明授权一种红光Micro LED高光效外延结构在权利要求书中公布了：1.一种红光MicroLED外延结构，包括依次生长在GaAs衬底上的以下层结构： N型GaAs缓冲层、N型AlGaInP腐蚀停层、N型AlGaInP电流扩展层、N型AlGaInP欧姆接触层、N型AlInP限制层、多量子阱层、P型AlInP限制层、P型GaP电流扩展层、P型GaP欧姆接触层， 在P型AlInP限制层和P型GaP电流扩展层之间设置有高能带横向扩展层，该横向扩展层为超晶格结构，包括3至15组子层结构，所述子层结构由从上到下依次设置的高掺杂GaP层、低掺杂GaP层和AlxGa1-xP层组成，其中： 高掺杂GaP层，掺杂浓度为5×1018atomscm3至8×1018atomscm3，厚度为40至80nm； 低掺杂GaP层，掺杂浓度为1×1018atomscm3至6×1018atomscm3，厚度为20至40nm； AlxGa1-xP层，掺杂浓度为5×1018atomscm3至1.2×1019atomscm3，厚度为20至40nm，其中0.05≤x≤0.2，且铝元素x含量从底部的0.05逐渐增加到顶部的0.2； 所述高能带横向扩展层的总厚度为300至1500nm。

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