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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利半导体衬底表面定轴分子转子及其阵列的原子级构筑方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119797275B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411903455.4，技术领域涉及：B82B3/00；该发明授权半导体衬底表面定轴分子转子及其阵列的原子级构筑方法是由潘毅;李雪妍;李宇昂;杨嘉琪;刘惜缘;王连会设计研发完成，并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体衬底表面定轴分子转子及其阵列的原子级构筑方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体衬底表面定轴分子转子及其阵列的原子级构筑方法，通过超高真空热蒸镀方法，分别在半导体衬底表面蒸镀金属原子和酞菁分子；利用扫描隧道显微镜对酞菁分子进行横向操纵，将酞菁分子放置到表面吸附的金属原子上，利用扫描隧道显微镜纵向操纵金属原子放置在酞菁分子上，得到金属原子‑酞菁分子‑金属原子定轴分子转子复合结构；通过施加栅压调控局部电势，实现分子转子的转动和调控。该方法实现对分子转子复合结构的原子级精确锚定，实现了转子阵列排布；通过预埋电极的栅压调控局部电势，实现转动速度的调控；通过以单个原子、分子为基元的精密加工精确设计分子转子阵列，解决了对分子结构不可重新定位排列的问题。

本发明授权半导体衬底表面定轴分子转子及其阵列的原子级构筑方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体衬底表面定轴分子转子及其阵列的原子级构筑方法，其特征在于，包括： 将Ⅲ-Ⅴ族半导体衬底通过超高真空解理，获得原子级清洁表面； 通过超高真空热蒸镀方法，分别在半导体衬底表面蒸镀金属原子和酞菁分子； Ⅲ-Ⅴ族半导体表面存在天然重构结构的金属空位，生长的金属原子主要附着在Ⅲ-Ⅴ族半导体金属空位上； 利用扫描隧道显微镜扫描样品，获得表面形貌图； 根据表面形貌图识别半导体衬底表面吸附的金属原子和酞菁分子位置； 利用扫描隧道显微镜针尖对酞菁分子进行横向操纵，将酞菁分子放置到表面吸附的金属原子上，形成金属原子-酞菁分子结构； 对酞菁分子横向操纵，样品带有-0.5~-0.8V偏压，隧穿电流为0.2~0.6nA电流，针尖从酞菁分子顶端移动至金属原子顶端实现分子横向操纵； 利用扫描隧道显微镜针尖纵向操纵另一个金属原子，将另一个金属原子放置在酞菁分子上，得到金属原子-酞菁分子-金属原子定轴分子转子复合结构； 纵向操纵金属原子，使用+1V~+1.3V的偏压提起金属原子，针尖至酞菁分子上方，使用-1V~-1.3V的偏压释放金属原子； 通过半导体衬底底部栅极施加栅压调控局部电势，实现分子转子的转动和调控；通过在分子转子两端设有源极和漏极实现分子转子信号输出。

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