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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利基于位线开关和电容耦合的灵敏放大器、读取电路、模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119832957B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411888853.3，技术领域涉及：G11C11/4067；该发明授权基于位线开关和电容耦合的灵敏放大器、读取电路、模块是由蔺智挺;吕婧;戴成虎;刘玉;李鑫;彭春雨;吴秀龙;郝礼才设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于位线开关和电容耦合的灵敏放大器、读取电路、模块在说明书摘要公布了：本发明涉及DRAM电路设计技术领域，具体涉及基于位线开关和电容耦合的灵敏放大器、读取电路、模块。本发明公开了基于位线开关和电容耦合的DRAM灵敏放大器，包括：9个NMOS管N1～N9、2个PMOS管P1～P2、2个电容Cc1～Cc2。本发明设计了SCSA、并配合相应的控制逻辑，使其在对DRAM存储单元读取时设计了：预充阶段、失调校准阶段、电荷分享阶段、预感应阶段、主感应阶段，使位线BLT或BLB电位可以正确变化，保证了SCSA读取放大功能。相较于传统的DRAM灵敏放大器，本发明提供的SCSA实现了在元件数量增幅不大的情况下，使失调电压指标大幅度降低、有效增大了感测裕度。

本发明授权基于位线开关和电容耦合的灵敏放大器、读取电路、模块在权利要求书中公布了：1.一种基于位线开关和电容耦合的DRAM灵敏放大器，其特征在于，包括：9个NMOS管N1～N9、2个PMOS管P1～P2、2个电容Cc1～Cc2； P1的源极连接控制信号SAP1； N1的源极连接控制信号SAN1，漏极连接P1的漏极，栅极连接P1的栅极； P2的源极连接控制信号SAP2； N2的源极连接控制信号SAN2，漏极连接P2的漏极，栅极连接P2的栅极； N3的栅极连接控制信号OC，漏极连接P1的栅极，源极连接P1的漏极； N4的栅极连接OC，漏极连接P2的栅极，源极连接P2的漏极； N5的栅极连接控制信号TSE2，源极连接位线BLB，漏极连接P1的漏极； N6的栅极连接控制信号TSE1，源极连接位线BLT，漏极连接P2的漏极； N7的栅极连接控制信号BSE1，源极连接BLB，漏极连接N6的漏极； N8的栅极连接控制信号BSE2，源极连接BLT，漏极连接N5的漏极； N9的栅极连接控制信号BLEQ，源极连接输入信号VEQ，漏极连接N6的漏极； Cc1的第一端连接BLT，第二端连接P1的栅极； Cc2的第一端连接BLB，第二端连接P2的栅极； 其中，P1、N1构成反相器一，P2、N2构成反相器二；反相器一和反相器二通过Cc1～Cc2实现交叉耦合，并形成锁存结构。

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