歌尔微电子股份有限公司赵聪聪获国家专利权
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龙图腾网获悉歌尔微电子股份有限公司申请的专利传感器封装结构及制备方法和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119835594B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411834679.4，技术领域涉及：H04R19/04；该发明授权传感器封装结构及制备方法和电子设备是由赵聪聪;张浩;张永华设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本传感器封装结构及制备方法和电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供了一种传感器封装结构和电子设备，其中，所述传感器封装结构包括：基板，所述基板设有沿其厚度方向贯穿的第一声孔；罩壳，所述罩壳设于所述基板的第一侧，所述罩壳与所述基板配合形成容置腔；传感器组件，所述传感器组件设于所述容置腔；防水膜，所述防水膜设于所述基板的第一侧，所述防水膜位于所述容置腔内，所述防水膜的有效区与所述第一声孔的开口相对应，所述有效区的面积大于所述第一声孔的开口面积；在所述第一声孔的轴向上，所述第一声孔与所述有效区的距离为H1，在所述第一声孔的径向上，所述第一声孔的内壁面与所述有效区边沿的距离为L1，H1与L1的比值大于1:8。
本发明授权传感器封装结构及制备方法和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种传感器封装结构，其特征在于，包括： 基板，所述基板设有沿其厚度方向贯穿的第一声孔； 罩壳，所述罩壳设于所述基板的第一侧，所述罩壳与所述基板配合形成容置腔； 传感器组件，所述传感器组件设于所述容置腔； 防水膜，所述防水膜设于所述基板的第一侧，所述防水膜位于所述容置腔内，所述防水膜的有效区与所述第一声孔的开口相对应，所述有效区的面积大于所述第一声孔的开口面积； 在所述第一声孔的轴向上，所述第一声孔与所述有效区的距离为H1，在所述第一声孔的径向上，所述第一声孔的内壁面与所述有效区边沿的距离为L1，H1与L1的比值大于1:8且小于等于1:1，所述第一声孔的最小径向尺寸为d1,0.25mm≤d1≤1mm，H1≥50um。
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