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龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利一种具有ZrC-SiC-PyC界面层的陶瓷改性C/C复合材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119841658B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510074127.6，技术领域涉及：C04B35/83；该发明授权一种具有ZrC-SiC-PyC界面层的陶瓷改性C/C复合材料及其制备方法是由卢锦花;周兆凡;张若茜;曹毅;许东方;刘文琪;邹晓龙设计研发完成，并于2025-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有ZrC-SiC-PyC界面层的陶瓷改性C/C复合材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有ZrC‑SiC‑PyC界面层的陶瓷改性CC复合材料及其制备方法，属于陶瓷改性碳碳复合材料制备技术领域。该制备方法，如下：通过SI法向低密度CC复合材料内部引入ZrSi22粉末，制得含有ZrSi22粉末的低密度CC复合材料；通过第一次RMI法将含有ZrSi22粉末的低密度CC复合材料制成具有ZrC‑SiC‑PyC界面层的低密度CC复合材料；采用化学气相沉积法向具有ZrC‑SiC‑PyC界面层的低密度CC复合材料沉积PyC，再通过第二次RMI法制备具有ZrC‑SiC‑PyC界面层的陶瓷改性CC复合材料。本发明结合SI法和RMI法制备具有ZrC‑SiC‑PyC界面层的陶瓷改性CC复合材料，在碳纤维表面构筑陶瓷界面层可有效减少碳纤维在RMI法制备陶瓷改性CC复合材料过程中受到陶瓷熔体的侵蚀作用。

本发明授权一种具有ZrC-SiC-PyC界面层的陶瓷改性C/C复合材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有ZrC-SiC-PyC界面层的陶瓷改性CC复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 通过SI法向低密度CC复合材料内部引入ZrSi2粉末，制得含有ZrSi粉末的低密度CC复合材料，具体过程，如下：将CC复合材料浸泡于ZrSi浆料中，后置于-0.09MPa的设定真空环境中30min，取出后经冲洗和烘干，得到内部分散有ZrSi粉末的低密度CC复合材料，重复1-5次本步骤，制得含有ZrSi粉末的低密度CC复合材料； 通过第一次RMI法将含有ZrSi粉末的低密度CC复合材料制成具有ZrC-SiC-PyC界面层的低密度CC复合材料，具体过程，如下：将含有ZrSi粉末的低密度CC复合材料置于放入石墨坩埚中，再将石墨坩埚置于真空高温石墨化炉内，在真空高温石墨化炉内部-0.09MPa的真空条件下，真空高温石墨化炉以5℃min的升温速率加热至2000℃，保温2h，然后再以5℃min的降温速率冷却至室温； 采用化学气相沉积法向具有ZrC-SiC-PyC界面层的低密度CC复合材料沉积PyC，制得沉积PyC后的具有ZrC-SiC-PyC界面层的低密度CC复合材料，具体过程，如下：将具有ZrC-SiC-PyC界面层的低密度CC复合材料放入等温化学气相沉积炉内，等温化学气相沉积炉以10℃h的升温速率升温至1200℃，期间以50sccm的流速持续通入氩气；待升温至1200℃后，向等温化学气相沉积炉内以500sccm的流速通入天然气，同时设定氩气流速为1500sccm，在1200℃下保温4~16h，随后停止通入天然气，调整氩气流速为50sccm，自然冷却至室温，沉积PyC完成； 再通过第二次RMI法制备具有ZrC-SiC-PyC界面层的陶瓷改性CC复合材料，具体过程，如下：将沉积PyC后的具有ZrC-SiC-PyC界面层的低密度CC复合材料放入石墨坩埚中，采用粒径为1-3微米的ZrSi粉末将沉积PyC后的具有ZrC-SiC-PyC界面层的低密度CC复合材料完全埋没，后置于真空高温石墨化炉内，在真空高温石墨化炉内部-0.09MPa的真空条件下，真空高温石墨化炉以5℃min的升温速率加热至2000℃，保温2h，然后以5℃min的降温速率冷却至室温。

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