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龙图腾网获悉拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司申请的专利薄膜参数的确定方法、装置及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119851785B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411919178.6，技术领域涉及：G16C20/10；该发明授权薄膜参数的确定方法、装置及存储介质是由牛春杰;蔡新晨设计研发完成，并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本薄膜参数的确定方法、装置及存储介质在说明书摘要公布了：本发明提供了一种薄膜参数的确定方法、一种薄膜参数的确定装置及一种计算机可读存储介质。所述薄膜参数的确定方法包括以下步骤：获取脱氢处理工艺的多个工艺参数。所述多个工艺参数至少包括处理温度、等离子体功率及处理时间；以及将各所述工艺参数，输入预先建立的氢含量模型，以经由所述氢含量模型的氢原子活化扩散单元、氢原子与缺陷的相互作用单元及氢原子复合与解吸单元，联合确定所述薄膜中的氢分布及氢总量。本发明可以通过将脱氢处理工艺的多个工艺参数输入预先建立的氢含量模型，用于精准确定薄膜中的氢分布及氢总量，并用于对脱氢处理工艺的工艺参数优化进行理论指导。

本发明授权薄膜参数的确定方法、装置及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种薄膜参数的确定方法，其特征在于，包括以下步骤： 获取脱氢处理工艺的多个工艺参数，其中，所述多个工艺参数至少包括处理温度、等离子体功率及处理时间；以及 将各所述工艺参数，输入预先建立的氢含量模型，以经由所述氢含量模型的氢原子活化扩散单元、氢原子与缺陷的相互作用单元及氢原子复合与解吸单元，联合确定所述薄膜中的氢分布及氢总量，其中， 所述氢原子活化扩散单元根据以间隙形式存在的氢原子的体密度、所述氢原子在所述薄膜内的扩散系数、所述薄膜内的最小晶胞大小、所述薄膜内捕获氢的固有缺陷数密度、所述薄膜内未被占据的剩余缺陷密度、所述薄膜内的空位缺陷密度、所述缺陷对所述氢原子的捕获能力及所述处理温度确定，表征所述氢原子的体密度关于时间的偏导， 所述氢原子与缺陷的相互作用单元根据以间隙形式存在的氢原子的体密度、所述薄膜内的最小晶胞大小、所述薄膜内捕获氢的固有缺陷数密度、所述薄膜内未被占据的剩余缺陷密度、所述薄膜内的空位缺陷密度、所述缺陷对所述氢原子的捕获能力及所述处理温度确定，表征未被占据的氢原子的剩余缺陷密度关于时间的偏导， 所述氢原子复合与解吸单元根据所述氢原子在所述薄膜表面层内的密度、所述表面层的单位深度、以间隙形式存在的氢原子的体密度及所述氢原子在所述薄膜表面的释放速率确定，表征单元深度的氢总量关于时间的偏导。

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