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龙图腾网获悉华羿微电子股份有限公司申请的专利一种第三代半导体器件封装结构的封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119855218B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510310785.0，技术领域涉及：H10D80/20；该发明授权一种第三代半导体器件封装结构的封装方法是由宁玉霞;刘旭昌;何慧;郑雨轩设计研发完成，并于2025-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种第三代半导体器件封装结构的封装方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种第三代半导体器件封装结构的封装方法，封装结构包括框架载体、硅基芯片及其一种氮化镓芯片或碳化硅芯片，还包括陶瓷基板和或电容。通过封装方法在封装后实现高性能和高可靠性的封装技术需求，提高了器件的稳定性和耐用性，确保在高压环境下依然能够稳定工作。氮化镓GaN混合封装器件在使用过程中能够消耗更少的能量，从而降低整体的能耗，同时高度集成的电路设计，减少了元器件的数量，使调试过程更加快速便捷，对成本优化起到了显著作用。碳化硅SiC混合封装器件凭借其耐高压和耐高温的特点，使器件能够在恶劣的环境中保持稳定工作，提高了整体的可靠性和寿命，在新能源汽车、光伏发电等多个领域展现出广阔的应用前景。

本发明授权一种第三代半导体器件封装结构的封装方法在权利要求书中公布了：1.一种第三代半导体器件封装结构的封装方法，半导体器件包括硅基芯片、其一种氮化镓芯片或碳化硅芯片，其特征在于，所述半导体器件还包括陶瓷基板和或电容，所述封装方法主要包括以下步骤： S1、激光开槽：在做完减薄和背金工艺后通过激光进行开槽； 背金工艺：使用软焊料或者纳米烧结银粘片进行芯片粘接前，对氮化镓晶圆在减薄后的背面存在的微损伤进行前期处理，并对晶圆背面进一步粗糙化，包括将晶圆背面进行化学腐蚀、用异丙醇脱水、氮气烘干后进行背金； 背金使用电子束产生1000℃高温依次蒸发金属钛、镍、银，使金属原子在真空中直线运动，依次沉积在晶圆上，实现晶圆背面金属化； S2、划片：将激光开槽后的半导体晶圆采用超声划片成单个芯片； S3、上芯：将划片后的单个芯片排列或堆叠粘接在框架载体上； S4、等离子清洗：对上芯烘烤后的芯片进行等离子清洗； S5、压焊：将等离子清洗后的半导体器件使用金属焊线进行键合，形成电气连接； 芯片与陶瓷基板之间通过铝线键合连接，陶瓷基板作为第二焊点，需要使用后切刀，外“八”字的打线方式，防止切刀切线时芯片被切裂； 硅基芯片与氮化镓芯片或碳化硅芯片之间，以及硅基芯片、其一种氮化镓芯片或碳化硅芯片与引线框架的管脚之间的焊线选用BSOB和或BBOS焊接方式； S6、弹坑实验：表面金属为铜镍金RDL的氮化镓芯片，使用王水和过氧化氢溶液来去除芯片表面的镀层；表面金属为铝铜的非RDL的氮化镓芯片，使用纯磷酸来去除芯片表面的镀层； S7、等离子清洗：对压焊完的半导体器件进行等离子清洗； S8、喷胶：将等离子清洗后的半导体器件进行喷胶，使框架载体、管脚、芯片表面形成一层均匀的薄膜； 对于氮化镓芯片混合封装，喷胶材料选用AP8000密着促进剂，将背金金属最外层的镀银面与环氧塑封料隔离，增强了环氧塑封料和框架以及芯片之间的粘接力；喷胶完后进行烘烤，烘烤温度70℃，时间3min； 对于碳化硅芯片混合封装，使用镀镍基底材料，GC-3688密着促进剂对分层起到了显著的改善作用，该材料需要在喷胶前按95％异丙醇：5％水：增粘剂=9:1进行稀释，产品喷胶后不烘烤，静置至少2h，进行后续的工艺。

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