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龙图腾网获悉广州鸿博微电子技术有限公司申请的专利一种Flash存储器的数据存储方法、装置、设备及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119883111B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411871059.8，技术领域涉及：G06F3/06；该发明授权一种Flash存储器的数据存储方法、装置、设备及介质是由庞新龙;周立业;陈锐浩;黄杨程设计研发完成，并于2024-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Flash存储器的数据存储方法、装置、设备及介质在说明书摘要公布了：本申请公开了一种Flash存储器的数据存储方法、装置、设备及介质，本申请属于电子信息技术领域。该方法包括：在Flash存储器中确定至少两个存储区域，每个存储区域包括存储块以及实时记录块；以第一区域作为即时写入区域，在识别到待存储数据增加时，按照数据增加的个数在第一区域中的实时记录块内将对应个数的第一数值写为第二数值；在第一区域中的实时记录块内所有的第一数值均写为第二数值后，将第一区域中的存储块以及实时记录块所记录的待存储数据写入到第二区域的存储块，并以第二区域作为即时写入区域；擦除第一区域中的存储块以及实时记录块。本技术方案，可以有效降低擦除次数，以在确保存储数据的准确性的同时，提高了Flash存储器的使用寿命。

本发明授权一种Flash存储器的数据存储方法、装置、设备及介质在权利要求书中公布了：1.一种Flash存储器的数据存储方法，其特征在于，所述方法包括： 在Flash存储器中确定至少两个存储区域，每个存储区域包括存储块以及实时记录块； 以第一区域作为即时写入区域，在识别到待存储数据增加时，按照数据增加的个数在所述第一区域中的实时记录块内将对应个数的第一数值写为第二数值； 在所述第一区域中的实时记录块内所有的第一数值均写为第二数值后，读取所述第一区域中的存储块中的二进制数值，以及读取所述第一区域中的实时记录块中的第二数值的数量，加和得到所记录的待存储数据，以二进制的方式写入到第二区域的存储块，并以所述第二区域作为即时写入区域； 擦除所述第一区域中的存储块以及实时记录块； 在所述第二区域中的实时记录块内所有的第一数值均写为第二数值后，将所述第二区域中的存储块以及实时记录块所记录的待存储数据写入到第一区域的存储块，并以所述第一区域作为即时写入区域； 在识别到待存储数据的查询请求时，识别所述即时写入区域的存储块中存储的数值，识别所述即时写入区域的实时记录块里面写为第二数值的个数，将所述第一数值的个数和所述第二数值的个数的加和结果确定为待存储数据的查询结果。

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