湖南大学张楠获国家专利权
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龙图腾网获悉湖南大学申请的专利一种P2型中熵层状氧化物正极材料及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119890294B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510121180.7，技术领域涉及：H01M4/525；该发明授权一种P2型中熵层状氧化物正极材料及其制备方法与应用是由张楠;王英新界;解修强设计研发完成，并于2025-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种P2型中熵层状氧化物正极材料及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种P2型中熵层状氧化物正极材料及其制备方法与应用。所述正极材料的结构式为NaffLiaaMgbbNiccMnddTaeeO22，其中，0.05≤a≤0.1,0.05≤b≤0.1,0.13≤c≤0.23,0.63≤d≤0.66,0.01≤e≤0.04,0.67≤f≤0.75，且a+b+c+d+e=1，a+b+c=0.33。本发明基于熵调控和人造CEI构建的双功能策略，实现了结构的精确调控；构型熵的增加以及在表面富集形成NaTaO33保护层协同提高了材料的表界面的稳定性，获得了较好的空气稳定性和全气候性能。本发明提供的制备方法简单、原料简单易得，制备过程对设备要求不高，生产成本低，易于产业化应用。
本发明授权一种P2型中熵层状氧化物正极材料及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种P2型中熵层状氧化物正极材料，其特征在于，所述正极材料的结构式为Na0.72-0.75Li0.1Mg0.05Ni0.18Mn0.66-0.63Ta0.01-0.04O2；所述正极材料的表面有均匀NaTaO3物相作为人造CEI保护层。
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