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龙图腾网获悉东南大学申请的专利一种抑制GaN HEMT桥臂串扰的驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119995327B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510234333.9，技术领域涉及：H02M1/088；该发明授权一种抑制GaN HEMT桥臂串扰的驱动电路是由李胜;汪沁涵;陆伟豪;李明飞;马岩锋;刘斯扬;孙伟锋设计研发完成，并于2025-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抑制GaN HEMT桥臂串扰的驱动电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种抑制GaNHEMT桥臂串扰的驱动电路。本发明分别在高低侧驱动电路内设置上下桥臂串扰抑制电路；上桥臂串扰抑制电路在功率管开启时吸收高侧驱动电路内正向电压尖峰串扰，在功率管关断时吸收高侧驱动电路内负向电压尖峰串扰；下桥臂串扰抑制电路在功率管开启时吸收低侧驱动电路内正向电压尖峰串扰，在功率管关断时吸收低侧驱动电路内负向电压尖峰串扰。本发明有效抑制了上下桥臂串扰，保护了GaNHEMT功率器件的栅极，提高了GaNHEMT半桥驱动电路的可靠性。

本发明授权一种抑制GaN HEMT桥臂串扰的驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种抑制GaNHEMT桥臂串扰的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路连接在GaNHEMT桥臂中，所述GaNHEMT桥臂包括上桥臂电路和下桥臂电路，所述上桥臂电路与该下桥臂电路结构相同； 所述驱动电路包括两个串扰抑制电路，分别为上桥臂中的串扰抑制电路和下桥臂中的串扰抑制电路；上桥臂中的串扰抑制电路用于抑制高侧驱动电路内串扰尖峰电压；下桥臂中的串扰抑制电路用于抑制低侧驱动电路内串扰尖峰电压； 高侧驱动电路与下桥臂串扰抑制电路共用一个双通道隔离芯片1； 低侧驱动电路与上桥臂串扰抑制电路共用一个双通道隔离芯片2； 所述上桥臂电路包括功率管M1栅极电路，功率管M1栅极电路包括双通道隔离芯片1、功率管M1、电阻R1； 双通道隔离芯片1的第一信号输出HOUT1与电阻R1的一端连接，电阻R1的另一端连接功率管M1的栅极； 所述下桥臂电路包括功率管M2栅极电路，功率管M2栅极电路包括双通道隔离芯片2、功率管M2、电阻R5； 双通道隔离芯片2的第二信号输出LOUT2与电阻R5的一端连接，电阻R5的另一端连接功率管M2的栅极； 设置在上桥臂中的串扰抑制电路为第一串扰抑制电路，第一串扰抑制电路包括双通道隔离芯片2、辅助晶体管Q1、二极管D1、电阻R2、电阻R3、电容C1； 双通道隔离芯片2的第一信号输出LOUT1与电阻R2、电阻R3的一端连接，电阻R3的另一端连接二极管D1的阳极，二极管D1的阴极与电阻R2的另一端共同连接辅助晶体管Q1的栅极； 辅助晶体管Q1的漏极连接电容C1，电容C1的另一端连接功率管M1的栅极； 辅助晶体管Q1的源极连接功率管M1的源极； 电阻R4的一端连接功率管M1的栅极，另一端连接功率管M1的源极； 设置在下桥臂中的串扰抑制电路为第二串扰抑制电路，第二串扰抑制电路包括双通道隔离芯片1、辅助晶体管Q2、二极管D2、电阻R6、电阻R7、电容C2； 双通道隔离芯片1的第二信号输出HOUT2与电阻R6、电阻R7的一端连接，电阻R7的另一端连接二极管D2的阳极，二极管D2的阴极与电阻R6的另一端共同连接辅助晶体管Q2的栅极； 辅助晶体管Q2的漏极连接电容C2，电容C2的另一端连接功率管M2的栅极； 辅助晶体管Q2的源极连接功率管M2的源极； 电阻R8的一端连接功率管M2的栅极，另一端连接功率管M2的源极。

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