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龙图腾网获悉昆明理工大学申请的专利一种在还原工艺降低电子级多晶硅中碳元素含量的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120024901B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510209164.3，技术领域涉及：C01B33/035；该发明授权一种在还原工艺降低电子级多晶硅中碳元素含量的方法是由侯彦青;郭李杰;袁兴平;赵丹;吕庆辉设计研发完成，并于2025-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种在还原工艺降低电子级多晶硅中碳元素含量的方法在说明书摘要公布了：本发明属于电子级多晶硅生产技术领域，具体地说，是一种在还原工艺降低电子级多晶硅中碳元素含量的方法，所述方法包括纳米多孔钯的制备、催化剂的制备、三氯氢硅的纯化和多晶硅的制备。本发明通过制备出活性好、反应效率高的催化剂，实现对三氯氢硅中甲基二氯硅烷的最大限量的转化和去除，从而实现降低多晶硅中的碳含量，其中去除率大于98.5%；并且，本发明通过控制原料配比、反应的温度、压力等条件，制备的电子级多晶硅碳元素含量低，满足半导体行业对电子级多晶硅品质的高要求。

本发明授权一种在还原工艺降低电子级多晶硅中碳元素含量的方法在权利要求书中公布了：1.一种在还原工艺中降低电子级多晶硅中碳元素含量的方法，其特征在于，所述方法包括纳米多孔钯的制备、催化剂的制备、三氯氢硅的纯化和多晶硅的制备； 所述纳米多孔钯的制备为，将PdAl合金带放入NaOH溶液中充分反应24h脱去Al，反应结束后依次用去离子水和无水乙醇洗涤，干燥后粉碎得到纳米多孔Pd，平均孔径为7～9nm； 所述NaOH溶液的浓度为0.9～1.4molL； 所述催化剂的制备为，将纳米多孔Pd加入到配制的KMnO4溶液中进行水热合成反应，生成的MnO2均匀负载于纳米多孔Pd上，反应结束后依次用去离子水和无水乙醇洗涤，干燥后得到MnO2多孔Pd复合催化剂； 所述三氯氢硅的纯化为，将含有甲基二氯硅烷的三氯氢硅和氯源送入反应釜中，加入MnO2多孔Pd复合催化剂，在氮气条件下进行催化反应，使甲基二氯硅烷转化为沸点更高的甲基三氯硅烷，再通过精馏将甲基三氯硅烷去除，将三氯氢硅分离出来，得到纯化三氯氢硅； 所述多晶硅的制备为，将纯化三氯氢硅转为气相，得到含有痕量甲基二氯硅烷的三氯氢硅气体；加热硅棒的同时通入混合气体反应，使硅在硅棒表面沉积，得到电子级多晶硅。

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