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龙图腾网获悉贵州芯际探索科技有限公司申请的专利一种SiC MOS器件的稳定性检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120028666B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510177715.2，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种SiC MOS器件的稳定性检测方法是由郝乐;李钢;常佳峻;张洪叶;孙雅涵设计研发完成，并于2025-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SiC MOS器件的稳定性检测方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种SiCMOS器件的稳定性检测方法，涉及电器件检测设备技术领域，包括以下步骤：S1、将SiCMOS器件放置在指定检测位置，同时控制在不同的温度和电压条件下，测试MOSFET的漏极电流Id与漏源电压Vds和栅极电压Vgs之间的关系；该SiCMOS器件的稳定性检测方法，在活动块进行移动时，同步带动设置在其端部的转轴进行移动，同时在摆动块跟随活动块进行移动时，沿着斜块的外表面进行移动，进而驱使转轴进行转动，并带动卡接块进行转动，使得在后续检测时，可根据实际状况调整整体角度，保证接触的精准。

本发明授权一种SiC MOS器件的稳定性检测方法在权利要求书中公布了：1.一种SiCMOS器件的稳定性检测方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、将SiCMOS器件放置在指定检测位置，同时控制在不同的温度和电压条件下，测试MOSFET的漏极电流与漏源电压和栅极电压之间的关系； S2、在关断状态下检测SiCMOS器件是否有异常的漏电流； S3、检查SiCMOS器件的开关特性，并同步监测栅极控制“开启”与“关闭”状态的电流变化； 其中，S1中通过基板1对器件进行输送，所述基板1的上端对称设置有调节组件2，且所述调节组件2的端部设置有定位组件3，通过所述调节组件2对所述定位组件3进行角度调整，同时配合所述定位组件3对器件进行锁定； 所述调节组件2包括与所述基板1连接的调节板21，所述调节板21的端部设置有驱动件22，所述驱动件22的输出端设置有螺杆221，同时所述螺杆221的外表面设置有活动块23，所述调节板21的上端且位于所述驱动件22的一侧设置有导向块211，所述导向块211的上端与所述活动块23的下端滑动连接； 所述活动块23的端部转动安装有转轴24，所述转轴24的端部设置有卡接块242，且所述转轴24远离所述卡接块242的一端贯穿并延伸至所述活动块23的另一端，同时所述转轴24的端部设置有摆动块241，所述调节板21一侧设置有斜块25，所述斜块25的上端与所述摆动块241的外表面滑动连接； 所述卡接块242的端部设置有对接板27，所述对接板27的一端设置有伸缩件271，所述伸缩件271的输出端贯穿并延伸至所述对接板27的另一端，同时所述伸缩件271的输出端设置有活动筒272，所述活动筒272的内壁滑动安装有限位柱264，所述限位柱264远离所述活动筒272的一端设置有防护板262，所述防护板262的端部外表面设置有定位板263，所述防护板262与所述对接板27之间通过定位柱261连接； 所述活动筒272的外表面均匀设置有多组活动杆28，且所述活动杆28的端部转动安装有调节杆29，所述调节杆29的端部与所述对接板27的端部转动连接，同时所述调节杆29的外表面与所述定位板263的内壁滑动连接，所述调节杆29的端部设置有夹块291。

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