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龙图腾网获悉西安隆基乐叶光伏科技有限公司申请的专利一种背接触电池和光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120076478B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510121000.5，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权一种背接触电池和光伏组件是由杨亚娣;马苗苗;李大伟;平飞林;赵赞良设计研发完成，并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种背接触电池和光伏组件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种背接触电池和光伏组件，涉及光伏技术领域，用于降低第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层之间的漏电风险。所述背接触电池包括：半导体基底、第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层。沿第一面至第二面的方向，间隔区域的表面相对于第一区域的表面向内凹入，以形成凹槽结构。第一掺杂半导体层至少部分设置于第一区域上。第二掺杂半导体层设置于第二区域上。第二掺杂半导体层和第一掺杂半导体层的导电类型相反。其中，沿间隔区域的延伸方向，第一掺杂半导体层包括靠近间隔区域的第一边界。沿间隔区域的宽度方向，第一边界包括位于第一区域内的第一子边界，以及由第一区域延伸至凹槽结构上方，并位于凹槽结构上方的第二子边界。

本发明授权一种背接触电池和光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种背接触电池，其特征在于，包括： 半导体基底，所述半导体基底包括相对的第一面和第二面；所述第一面包括交替间隔分布的第一区域和第二区域、以及位于所述第一区域和所述第二区域之间的间隔区域；沿所述第一面至所述第二面的方向，所述间隔区域的表面相对于所述第一区域的表面向内凹入，以形成凹槽结构； 第一掺杂半导体层，所述第一掺杂半导体层至少部分设置于所述第一区域上； 第二掺杂半导体层，设置于所述第二区域上；所述第二掺杂半导体层和所述第一掺杂半导体层的导电类型相反；沿所述第一区域和所述第二区域的排布方向，所述第一掺杂半导体层和所述第二掺杂半导体层间隔分布在所述第一面上，至少部分所述凹槽结构位于所述第一掺杂半导体层和所述第二掺杂半导体层之间； 其中，沿所述间隔区域的延伸方向，所述第一掺杂半导体层包括靠近所述间隔区域的第一边界；沿所述间隔区域的宽度方向，所述第一边界包括位于所述第一区域内的第一子边界，以及由所述第一区域延伸至所述凹槽结构上方，并位于所述凹槽结构上方的第二子边界。

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