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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种氮化物全彩集成微型发光二极管显示芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120166832B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510498717.1，技术领域涉及：H10H29/30；该发明授权一种氮化物全彩集成微型发光二极管显示芯片及其制备方法是由王新强;陈兆营;刘放;王岩;马超凡;袁泽兴设计研发完成，并于2025-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氮化物全彩集成微型发光二极管显示芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氮化物全彩集成微型发光二极管显示芯片及其制备方法，在硅衬底表面形成柱状或梯台状的台面，然后在硅衬底台面上依次外延AlN缓冲层、AlGaN应力调制层、n型GaN层、InGaNGaN复合量子阱层和p型导电层，形成微型发光二极管台面；通过台面侧壁的应力释放和AlGaN层的应力调制，在n型GaN层中形成自台面中心至外圈逐渐降低的张应力分布，从而调控InGaNGaN复合量子阱层中的铟组分分布，形成覆盖红、绿、蓝三基色波段的微型发光二极管台面。本发明公开的芯片结构集成了红、绿、蓝三基色子像素，降低了全彩微型发光二极管显示芯片巨量转移工艺的难度。本发明只需实施一次外延工艺即可完成红、绿、蓝三基色子像素的制备，简化了工艺流程。

本发明授权一种氮化物全彩集成微型发光二极管显示芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化物全彩集成微型发光二极管显示芯片，其特征在于，包括：透明基板、透明电极键合层、由单个或若干个微型发光二极管台面组成的台面阵列； 所述微型发光二极管台面或所述台面阵列通过所述透明电极键合层与所述透明基板相连； 所述微型发光二极管台面的结构自所述透明基板和所述透明电极键合层上依次包括：n型透明电极层、n型GaN层、一个或若干个周期的InGaNGaN复合多量子阱层、p型导电层以及p型电极层； 每个周期的所述InGaNGaN复合多量子阱层包括：若干个高铟含量InGaNGaN量子阱和若干个低铟含量InGaNGaN量子阱；所述微型发光二极管台面的中心区域由所述高铟含量InGaNGaN量子阱主导发光；所述微型发光二极管台面的外圈区域由所述低铟含量InGaNGaN量子阱主导发光； 自所述微型发光二极管台面的中心区域至外圈区域，所述InGaNGaN复合多量子阱层中InGaN势阱层的铟组分呈现逐渐降低的分布趋势；自所述微型发光二极管台面的中心区域至外圈区域，所述高铟含量InGaNGaN量子阱的发光波长由630nm逐渐蓝移至550nm；自所述微型发光二极管台面的中心区域至外圈区域，所述低铟含量InGaNGaN量子阱的发光波长由550nm逐渐蓝移至450nm； 所述微型发光二极管台面的发光波长范围覆盖红、绿、蓝三基色波段；所述微型发光二极管台面中对应红、绿、蓝三基色波段的发光区域呈环状分布；所述微型发光二极管台面中发光中心波长范围为610到630nm的环状区域为红光子像素区域；所述微型发光二极管台面中发光中心波长范围为510到530nm的环状区域为绿光子像素区域；所述微型发光二极管台面中发光中心波长范围为450到470nm的环状区域为蓝光子像素区域。

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