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龙图腾网获悉北京中科银河芯科技有限公司申请的专利一种带隙基准源电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120179014B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510484273.6，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种带隙基准源电路是由于泽洋;郭桂良设计研发完成，并于2025-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种带隙基准源电路在说明书摘要公布了：本发明公开一种带隙基准源电路，涉及集成电路技术领域，用于降低传统带隙基准源电路的功耗以及复杂度，所述带隙基准源电路，包括：NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第一电阻、第二电阻以及三极管网络；所述NMOS管的源极与电源相连，用于在带隙基准电源电路上电启动的过程中，保持导通状态；所述NMOS管的漏极与所述带隙基准源电路的输出端相连，并基于所述第一电阻和所述第二电阻与所述三极管网络相连；所述三极管网络的两端分别与所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的漏极相连，用于使由所述第一PMOS管和所述第二PMOS管构成的电流镜正常工作。

本发明授权一种带隙基准源电路在权利要求书中公布了：1.一种带隙基准源电路，其特征在于，包括：NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第一电阻、第二电阻以及三极管网络，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管构成1:1的电流镜，所述第一电阻和所述第二电阻的阻值相等； 所述NMOS管的漏极与电源相连，用于在带隙基准电源电路上电启动的过程中，保持导通状态；所述NMOS管的源极与所述带隙基准源电路的输出端相连，并基于所述第一电阻和所述第二电阻与所述三极管网络相连； 所述三极管网络的两端分别与所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的漏极相连，用于使由所述第一PMOS管和所述第二PMOS管构成的电流镜正常工作； 所述三极管网络包括：第一三极管、第二三极管、第三三极管以及第四三极管；所述第一三极管和第二三极管的射极面积之比为1：N；所述第三三极管和所述第四三极管的射极面积之比为1：1；其中，所述第四三极管的集极与所述第二PMOS管的漏极相连，所述第四三极管的射极接地，所述第四三极管的基极分别与所述第二电阻与所述第二三极管的集极相连；所述第二三极管的射极接地，所述第二三极管的基极与所述第一三极管的集极、所述第一电阻的一端以及所述第三三极管的基极相连；所述第一三极管的射极接地，所述第一三极管的基极与所述第一电阻的另一端相连；所述第三三极管的射极接地，所述第三三极管的集极与所述第一PMOS管的漏极相连。

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