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龙图腾网获悉通威微电子有限公司申请的专利一种碳化硅晶体长晶炉及碳化硅晶体生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120330875B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510568450.9，技术领域涉及：C30B23/00；该发明授权一种碳化硅晶体长晶炉及碳化硅晶体生长方法是由韩江山设计研发完成，并于2025-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅晶体长晶炉及碳化硅晶体生长方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供了一种碳化硅晶体长晶炉及碳化硅晶体生长方法，碳化硅晶体生长方法应用于碳化硅晶体长晶炉，涉及碳化硅晶体生长技术领域。碳化硅晶体长晶炉包括坩埚、第一导流罩、第二导流罩及过滤件。坩埚内的生长气氛能沿着坩埚壁面和第二导流罩形成的外部空腔向上流动，达到顶部后，生长气氛沿着第二导流罩的内壁和第一导流罩的外壁向下流动，最终进入由第一导流罩和第二导流罩构成的长晶腔，在第一导流罩与第二导流罩之间设置过滤件。这样可以确保生长气氛的速度相对均匀，并提升生长气氛的浓度，从而提高碳化硅晶体的生长质量。

本发明授权一种碳化硅晶体长晶炉及碳化硅晶体生长方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶体长晶炉，其特征在于，包括： 坩埚100，所述坩埚100顶部设置有籽晶800； 第一导流罩200，所述第一导流罩200设置于所述坩埚100顶部，所述籽晶800位于所述第一导流罩200内，所述第一导流罩200远离所述坩埚100顶部的一端具有第一开口211； 第二导流罩300，所述第二导流罩300安装于所述坩埚100内且位于所述第一导流罩200的下方，所述第二导流罩300具有第二开口321，所述第二开口321朝向所述坩埚100顶壁，所述第二开口321的径向尺寸大于所述第一开口211的径向尺寸，所述第一开口211在轴向上的正投影落入所述第二导流罩300内，所述第一导流罩200及所述第二导流罩300共同限定出长晶腔101，所述第二导流罩300的外壁与所述坩埚100内壁之间限定出第一流道400，所述第二导流罩300的内壁与所述第一导流罩200外壁之间限定出第二流道500，所述第一流道400与所述第二流道500连通； 过滤件600，所述过滤件600安装于所述第二流道500内； 其中，所述坩埚100内的生长气氛能依次经过所述第一流道400与所述第二流道500流入所述长晶腔101。

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