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龙图腾网获悉江苏富乐华功率半导体研究院有限公司;江苏富乐华半导体科技股份有限公司申请的专利一种复合氮化铝覆铝陶瓷基板封装模块及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120413427B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510535853.3，技术领域涉及：H10W70/05；该发明授权一种复合氮化铝覆铝陶瓷基板封装模块及其制备方法是由高远;王斌;张涛;杨骆设计研发完成，并于2025-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种复合氮化铝覆铝陶瓷基板封装模块及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种复合氮化铝覆铝陶瓷基板封装模块及其制备方法，一种复合氮化铝覆铝陶瓷基板，由图形面铝‑氮化铝陶瓷‑中间层铝‑氮化铝陶瓷‑非图形面铝组成，图形面铝与中间层铝的厚度比例为115～14，图形面铝与非图形面铝的厚度比例为110～14，图形面铝厚度为0.1mm‑0.8mm，氮化铝陶瓷的厚度为0.6mm‑3mm；所述氮化铝覆铝复合陶瓷基板非图形面连接有散热器，所述氮化铝覆铝复合陶瓷基板制备图形面通过焊料键合二极管，所述二极管通过引线电性实现连接；复合氮化铝覆铝陶瓷基板一次成型，铝面保持高纯铝特性，合理搭配复合氮化铝覆铝陶瓷基板多层间瓷铝厚度关系，提高整体材料韧性和刚度；陶瓷基板一次成型后无需焊料键合底板，不新增界面热阻，模块整体强散热。

本发明授权一种复合氮化铝覆铝陶瓷基板封装模块及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多层氮化铝覆铝陶瓷基板封装模块制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1：将图形面铝-氮化铝陶瓷-中间层铝-氮化铝陶瓷-非图形面铝依序叠放，进行烧结，得到氮化铝覆铝复合陶瓷基板； S2：对氮化铝覆铝复合陶瓷基板图形制备； S3：将带鳍片结构的散热器进行超声焊接； S4：将氮化铝覆铝复合陶瓷基板和二极管进行焊接进行封装制备； 步骤S1中图形面铝、中间层铝和非图形面铝的纯度＞99.99%的H态铝，酸碱清洗去除表面氧化层，在铝表面采用磁控溅射或蒸镀的方式蒸镀铜钨或铜层； 步骤S1中氮化铝覆铝复合陶瓷基板内部结构层之间的厚度关系为，图形面铝与中间层铝的厚度比例为115～14，图形面铝与非图形面铝的厚度比例为110～14，图形面铝厚度0.1mm-0.8mm，氮化铝陶瓷的厚度为0.6mm-3mm； 步骤S1中的烧结条件为真空度＜0.0001Pa，垂直压力3-7MPa，升温至630-660℃保温1-3h； 步骤S1中铜钨或铜层厚度为800nm-2000nm； 步骤S3中的散热器的制备材料为铝，带鳍片结构，表面粗糙处理； 步骤S3中采用带有分齿状与散热器鳍片对称的超声输出压头嵌入至散热器鳍片间距区，将散热器铝面与多层陶瓷基板非图形面贴合，垂直压力0.5-2MPa，频率25-35KHz，振幅10-70um，功率4-10Kw，进行超声焊接； 步骤S3中超声输出压头硬度为450-600HV，与散热器接触端粗糙度为Ra：0.8-4um； 步骤S4中在氮化铝覆铝复合陶瓷基板图形面印刷焊料，焊接二极管，二极管表面超声引线键合。

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