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龙图腾网获悉珠海格力电子元器件有限公司申请的专利半导体器件和半导体器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120711778B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511175058.4，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体器件和半导体器件的制备方法是由刘浩文;马万里;闫正坤;谭键文;肖帅设计研发完成，并于2025-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件和半导体器件的制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体器件和半导体器件的制备方法。半导体器件包括沿第一方向依次排布的漏极结构、基底结构、外延层、栅极结构、介质层以及源极结构，外延层位于基底结构的一侧，外延层的掺杂类型和基底结构的掺杂类型相同，外延层包括JFET区、第一注入区以及第二注入区，JFET区和第二注入区分别位于第一注入区远离基底结构的一侧；JFET区在基底结构上的正投影与第一注入区在基底结构上的正投影至少部分交叠；第二注入区沿第二方向间隔设置，JFET区位于相邻的两个第二注入区之间，JFET区远离基底结构一侧的表面与栅极结构接触。解决了半导体器件栅极结构可靠性不高的技术问题。

本发明授权半导体器件和半导体器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括沿第一方向依次排布的漏极结构、基底结构、外延层、栅极结构、介质层以及源极结构，其中， 所述外延层位于所述基底结构的一侧，所述外延层的掺杂类型和所述基底结构的掺杂类型相同，所述外延层包括JFET区、第一注入区以及第二注入区，所述第一注入区的掺杂类型和所述外延层的掺杂类型不同，所述JFET区和所述第二注入区分别位于所述第一注入区远离所述基底结构的一侧，所述第一注入区的一端与所述基底结构接触，所述第一注入区的另一端与所述第二注入区不接触； 所述JFET区在所述基底结构上的正投影与所述第一注入区在所述基底结构上的正投影至少部分交叠； 所述第二注入区沿第二方向间隔设置，所述JFET区位于相邻的两个所述第二注入区之间，所述JFET区远离所述基底结构一侧的表面与所述栅极结构接触； 所述第一方向为所述器件的厚度方向，所述第二方向与所述第一方向垂直， 所述半导体器件还包括： 第三注入区，位于所述外延层内，在所述第一方向上，所述第三注入区与所述源极结构接触，在所述第二方向上，所述第三注入区位于所述第二注入区远离所述JFET区的一侧，并且所述第三注入区与所述第二注入区接触，所述第一注入区的掺杂类型和所述第三注入区的掺杂类型相同，所述第三注入区的掺杂浓度大于所述第一注入区的掺杂浓度，在所述第一方向上，所述第三注入区的深度为第一深度，所述第二注入区的深度为第二深度，所述第一深度等于所述第二深度， 在所述第一方向上，所述第一注入区和所述第二注入区之间具有间隔。

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