合肥晶合集成电路股份有限公司蔡君正获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种超级结半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120711785B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511201905.X，技术领域涉及：H10D62/00；该发明授权一种超级结半导体器件及其制造方法是由蔡君正;王文文;雷容;蒯升元设计研发完成，并于2025-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超级结半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体技术领域，提供一种超级结半导体器件及其制造方法，所述制造方法包括：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底上形成N型硅外延层；在所述N型硅外延层上按照预设间隔形成多个深沟槽；所述深沟槽的侧壁与所述半导体衬底垂直；在所述深沟槽的侧壁及底部沉积P型硅，直至深沟槽剩余空间的深宽比小于等于8:1，形成P型硅外延层；在所述P型硅外延层上沉积绝缘介质，直至填满所述深沟槽，形成绝缘介质层；在形成绝缘介质层之后，对深沟槽表面进行平坦化处理；在平坦化处理之后，进行退火处理。该方法可以在避免引起P型柱和N型柱载流子不匹配问题的前提下克服P型柱内部形成空洞缺陷的问题，从而提高超级结半导体器件的击穿电压。
本发明授权一种超级结半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种超级结半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供一半导体衬底； 在所述半导体衬底上形成N型硅外延层；所述N型硅外延层中的掺杂元素为磷； 在所述N型硅外延层上按照预设间隔形成多个深沟槽；所述深沟槽的侧壁与所述半导体衬底垂直； 在所述深沟槽的侧壁及底部沉积P型硅，直至深沟槽剩余空间的深宽比小于等于8:1，形成P型硅外延层；所述P型硅中的掺杂元素为硼； 在所述P型硅外延层上沉积绝缘介质，直至填满所述深沟槽，形成绝缘介质层；所述绝缘介质为掺杂有硼的绝缘介质； 在形成绝缘介质层之后，对深沟槽表面进行平坦化处理； 在平坦化处理之后，进行退火处理。
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