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龙图腾网获悉西安理工大学申请的专利一种特殊倒角工艺下硅晶圆边缘缺陷检测方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120765638B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511238004.8，技术领域涉及：G06T7/00；该发明授权一种特殊倒角工艺下硅晶圆边缘缺陷检测方法及装置是由焦尚彬;焦汀洋;贾元成;薛兵;张青;王萌;李晨静;许明设计研发完成，并于2025-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种特殊倒角工艺下硅晶圆边缘缺陷检测方法及装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种特殊倒角工艺下硅晶圆边缘缺陷检测方法及装置，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：获取特殊倒角工艺下的无缺陷硅晶圆边缘图像，并以其在预训练WideResNet50的多层多尺度特征为监督，经空间统一、通道拼接及残差压缩获得边缘特征张量；以该张量为目标训练并冻结自动编码器，再以编码器输出为监督训练卷积神经网络；随后，利用冻结参数的自动编码器及已训练的卷积神经网络分别对待测图像进行边缘缺陷检测，得到两组缺陷特征图；通过计算两组特征图在通道、宽度及高度维度的逐像素差异生成缺陷特征图并映射为缺陷分数；依据缺陷分数高亮定位缺陷区域，输出硅晶圆边缘缺陷检测结果。本方法有效解决了工业现场缺陷标签不足的问题。

本发明授权一种特殊倒角工艺下硅晶圆边缘缺陷检测方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种特殊倒角工艺下硅晶圆边缘缺陷检测方法，其特征在于，包括： 获取双45度边缘特殊倒角工艺下的无缺陷硅晶圆边缘图像； 以预训练的WideResNet50网络作为主干网络，提取无缺陷硅晶圆边缘图像在主干网络中的第一组残差模块和第二组残差模块输出的多个多尺度特征图；将多尺度特征图统一空间尺寸后沿通道维度拼接，并对拼接后的多尺度特征图进行残差特征压缩，得到硅晶圆边缘特征张量；其中，所述对拼接后的多尺度特征图进行残差特征压缩，得到硅晶圆边缘特征张量，具体包括：将拼接后的多尺度特征图依次通过1×1卷积、批归一化和ReLU激活函数激活，得到第一硅晶圆边缘特征张量；将拼接后的多尺度特征图依次通过3×3卷积、批归一化、ReLU激活函数激活、3×3卷积和批归一化，得到第二硅晶圆边缘特征张量；将第一硅晶圆边缘特征张量和第二硅晶圆边缘特征张量进行拼接，得到硅晶圆边缘特征张量； 将硅晶圆边缘特征张量作为第一监督目标，训练自动编码器，并冻结训练后的自动编码器的全部参数；利用冻结参数后的自动编码器对无缺陷硅晶圆图像进行处理，得到输出特征图；将输出特征图作为第二监督目标，训练卷积神经网络； 利用冻结参数后的自动编码器和已训练的卷积神经网络分别对待测硅晶圆图像进行边缘缺陷检测，得到第一硅晶圆边缘缺陷特征图和第二硅晶圆边缘缺陷特征图；根据第一硅晶圆边缘缺陷特征图和第二硅晶圆边缘缺陷特征图的逐像素差异，确定硅晶圆边缘缺陷检测结果。

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