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龙图腾网获悉润新微电子(大连)有限公司申请的专利一种含有共栅极结构的GaN双向器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120897480B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511393832.9，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种含有共栅极结构的GaN双向器件是由任永硕;王荣华;梁辉南设计研发完成，并于2025-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种含有共栅极结构的GaN双向器件在说明书摘要公布了：本发明属于半导体技术领域，具体公开一种含有共栅极结构的GaN双向器件，包括主体结构、共栅极结构和外环结构，外环结构沿切割道内圈环绕设置，主体结构包括交替排布的第一主体单元和第二主体单元，第一主体单元包括第一源电极和第一栅结构，第二主体单元包括第二源电极和第二栅结构；共栅极结构包括两个漏电极、两个第三源电极和两个电阻，两个电阻串联连接且每个第三源电极分别与一个电阻连接，两个漏电极分别与第一源电极及第二源电极，或，第一栅结构及第二栅结构连接；两个电阻间的一个连接节点设为低电位端，低电位端与外环结构和或衬底连接。本发明的GaN双向器件，可实现器件在工作过程中始终提取到低电位，有效提升器件可靠性。

本发明授权一种含有共栅极结构的GaN双向器件在权利要求书中公布了：1.一种含有共栅极结构的GaN双向器件，包括由下至上依次设置的衬底、叠层结构和介电层，所述衬底的上方具有切割道，所述切割道贯穿介电层和叠层结构的厚度方向，其特征在于，所述GaN双向器件还包括主体结构、共栅极结构和外环结构，所述外环结构沿切割道内圈环绕设置且包围在主体结构和共栅极结构的外部，所述主体结构包括沿第一方向交替排布的第一主体单元和第二主体单元，所述第一主体单元包括第一源电极和环绕设置在第一源电极外部的第一栅结构，所述第二主体单元包括第二源电极和环绕设置在第二源电极外部的第二栅结构，所述第一方向平行于衬底的长度方向或宽度方向； 所述共栅极结构包括两个漏电极、两个第三源电极、两个电阻、一个第三栅电极和一个第三场板，所述第三栅电极与第三场板连接，两个所述电阻串联连接且每个第三源电极分别与一个电阻连接，两个所述漏电极分别与一个第一源电极及一个第二源电极连接，或，两个所述漏电极分别与一个第一栅结构及一个第二栅结构连接； 所述外环结构至少包括外环场板，两个串联连接的电阻之间的一个连接节点设置为低电位端，所述低电位端与外环场板和或衬底电性连接。

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