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龙图腾网获悉湘江实验室申请的专利基于异质结-铁电双模态可重构晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120908283B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511430554.X，技术领域涉及：G01N27/414；该发明授权基于异质结-铁电双模态可重构晶体管是由丁玎;杨彤;史长发;段静;芦耀庭;郑超设计研发完成，并于2025-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于异质结-铁电双模态可重构晶体管在说明书摘要公布了：本发明提出一种基于异质结‑铁电双模态可重构晶体管，包括自顶向下依次堆叠的以下层结构：顶栅、电解层、多孔接触层、异质结层、铁电层、纳米线沟道、耦合电容、隔离层、P型衬底和背栅；纳米线沟道的两端连接源极与漏极，构成电流通路，纳米线沟道上环绕有环栅；异质结层用于吸附环境离子并输出表面电荷密度变化信号；铁电层用于通过负电容效应放大异质结层的输出信号，并生成铁电输出电压；多孔接触层用于允许离子渗透但阻断电子导通。本发明具有双模态工作能力，可以集成式实现传感－逻辑一体化功能，缓解传统分立方案中系统效率与功耗之间的矛盾。

本发明授权基于异质结-铁电双模态可重构晶体管在权利要求书中公布了：1.一种基于异质结-铁电双模态可重构晶体管，其特征在于：包括自顶向下依次堆叠的以下层结构： 顶栅、电解层、多孔接触层、异质结层、铁电层、纳米线沟道、耦合电容、隔离层、P型Si衬底和背栅；电解层采用的材料KCL溶液，下表面直接接触多孔接触层；通过下方所设置的多孔接触层与异质结层间接耦合，提供离子环境；顶栅采用的材料是TiN，直接与铁电层上表面物理接触；作为外部电压输入端口，施加顶栅电压VG调控铁电层的极化方向与强度，通过改变铁电层的极化方向与强度，间接影响异质结表面电荷分布，进而调控整个器件的电学行为； 纳米线沟道的两端连接源极与漏极，构成电流通路，纳米线沟道上环绕有环栅，纳米线沟道材料为Si，纳米线沟道采用np梯度掺杂； 异质结层用于吸附环境离子并输出表面电荷密度变化信号； 铁电层用于通过负电容效应放大异质结层的输出信号，并生成铁电输出电压； 多孔接触层用于允许离子渗透但阻断电子导通； 晶体管具有双模态工作能力： 传感模态：当环境pH值处于5～9时，输出与pH线性相关的电压信号； 逻辑模态：当环境pH值5或9时，切换至逻辑运算状态，通过漏极输出报警信号； 晶体管的双模态由背栅、顶栅与环栅根据外部环境pH值协同调控Si纳米线沟道的阈值电压VTH分阶实现。

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