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龙图腾网获悉甬矽半导体(宁波)有限公司申请的专利衬底互连封装方法和衬底互连封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120914117B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511430509.4，技术领域涉及：H10W72/20；该发明授权衬底互连封装方法和衬底互连封装结构是由何正鸿;徐玉鹏;钟磊;李利;简志宏设计研发完成，并于2025-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本衬底互连封装方法和衬底互连封装结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种衬底互连封装方法和衬底互连封装结构，涉及芯片封装技术领域，该方法在基底线路介质层上形成光敏层，再去除部分光敏层后形成第一开口。然后在第一开口内形成堆叠线路介质层，再去除残留的光敏层形成第二开口，在第二开口内贴装第一芯片并形成第一塑封体。然后在互连线路层上贴装第二芯片。最后形成第二塑封体并形成第三开口，剥离载具后沿切割道切割，切割道可以沿第三开口的中线和或边缘。相较于现有技术，本发明在第一开口和第二开口内形成不同类型的封装结构，能够设置不同类型的封装产品，而在切割时，切割道能够沿第三开口的中线和或边缘，使得通过不同的切割手段能够产生不同类型的封装产品，提升了多样性。

本发明授权衬底互连封装方法和衬底互连封装结构在权利要求书中公布了：1.一种衬底互连封装方法，其特征在于，包括： 提供一载具； 在所述载具上形成基底线路介质层，其中所述基底线路介质层具有布线区域和介质区域； 在所述基底线路介质层上形成光敏层； 部分去除所述光敏层以形成第一开口，其中所述第一开口暴露出所述基底线路介质层的至少部分布线区域； 在所述第一开口内的所述基底线路介质层上形成堆叠线路介质层； 去除残留的所述光敏层以至少形成第二开口，其中所述第二开口暴露出所述基底线路介质层的介质区域； 在所述第二开口内的所述基底线路介质层上贴装第一芯片； 在所述第二开口内形成第一塑封体，其中所述第一塑封体远离所述基底线路介质层的一侧与所述堆叠线路介质层相平齐； 在所述第一塑封体和所述堆叠线路介质层上形成互连线路层； 在所述互连线路层上贴装第二芯片，其中所述第二芯片与所述堆叠线路介质层对应； 在所述互连线路层上形成第二塑封体，其中所述第二塑封体包覆于所述第二芯片，且所述第二塑封体的侧壁与所述堆叠线路介质层的边缘对齐，以形成露出部分所述互连线路层的第三开口； 剥离所述载具，并露出所述基底线路介质层； 沿切割道切割所述互连线路层； 其中，所述切割道沿所述第三开口的中线和或边缘延伸。

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